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            扶手椅型二硫化鉬納米帶的電子結構與邊緣修飾

            編號:NMJS03667

            篇名:扶手椅型二硫化鉬納米帶的電子結構與邊緣修飾

            作者:楊志雄; 楊金新; 劉琦; 謝禹鑫; 熊翔; 歐陽方平;

            關鍵詞:二硫化鉬; 納米帶; 懸掛鍵; 邊緣態(tài); 第一性原理; 電子結構;

            機構: 中南大學物理與電子學院; 中南大學粉末冶金研究院,粉末冶金國家重點實驗室;

            摘要: 采用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法,研究了扶手椅型二硫化鉬納米帶的幾何構型與電子結構,發(fā)現(xiàn)其穩(wěn)定性與電子性質敏感地依賴于邊緣修飾.隨著邊緣修飾的H原子數(shù)增加,納米帶變得更加穩(wěn)定,并在間接帶隙半導體、半金屬和直接帶隙半導體之間轉變.納米帶的能帶結構和電子態(tài)密度顯示,其費米能級附近的能帶主要由邊緣態(tài)貢獻.當二硫化鉬納米帶兩邊用不同數(shù)目的H原子修飾時,納米帶同時具有由這兩種修飾引起的邊緣態(tài)并且兩種邊緣態(tài)的相互影響很小.研究了三類納米帶帶隙與寬度的關系,對于每個原胞修飾0個或8個H原子的納米帶,帶隙隨寬度以3為周期振蕩變化;而對于每個原胞修飾4個H原子的納米帶,帶隙振蕩不再具有周期并且振蕩幅度變小.

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