噴霧燃燒原位催化制備SnO2納米線及其生長(zhǎng)機(jī)理

編號(hào)：NMJS03655

篇名：噴霧燃燒原位催化制備SnO2納米線及其生長(zhǎng)機(jī)理

作者：孔令艷； 胡彥杰； 侯曉宇； 張玲； 李春忠

關(guān)鍵詞：噴霧燃燒； 納米線； 納米顆粒

機(jī)構(gòu)： 華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 華東理工大學(xué)超細(xì)材料制備與應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 采用噴霧燃燒的方法,以HAuCl4在高溫火焰中原位分解生成的Au納米顆粒為催化劑,以SnCl4.5H2O為錫源,簡(jiǎn)單、快速地制備高度結(jié)晶的SnO2納米線;利用X射線衍射、透射電鏡和選區(qū)電子衍射等對(duì)制備的納米線進(jìn)行表征;研究SnO2納米線的晶格間距和晶體的生長(zhǎng)方向,提出高溫火焰快速反應(yīng)過(guò)程中Au納米顆粒催化SnO2納米線的生長(zhǎng)機(jī)理。結(jié)果表明,制備的SnO2納米線為正方晶系的金紅石型氧化錫單晶結(jié)構(gòu),直徑為15~25 nm,長(zhǎng)度在幾百納米到幾微米之間。