硅納米線陣列的制備及光伏性能

編號：NMJS03642

篇名：硅納米線陣列的制備及光伏性能

作者：蔣玉榮； 秦瑞平； 蔡方敏； 楊海剛； 馬恒； 常方高

關鍵詞：硅納米線陣列； 無電極金屬催化法； 光譜反射率； 光伏特性

機構： 1. 河南師范大學物理與信息工程學院，河南 新鄉(xiāng) 453007； 2. 河南省光伏材料重點實驗室，河南 新鄉(xiāng) 453007；

摘要： 在常溫常壓下，采用無電極金屬催化化學腐蝕法在 P 型單晶硅片(100)基底上制備定向排列的硅納米線陣列。研究了不同濃度硝酸銀對納米線陣列形貌、反射光譜性能的影響和具有電池雛形的硅納米線陣列的光伏性能。結果表明：硝酸銀濃度在 0.02mol/L 時為最佳配比；與普通絨面電池相比，硅納米線陣列太陽能電池的光電轉換性能明顯優(yōu)于普通絨面電池。用光譜響應分析手段分析硅納米線電池光伏性能的影響因素，并提出解決辦法。