硫化鉍準納米帶陣列的可控合成及光學性質

編號：NMJS03596

篇名：硫化鉍準納米帶陣列的可控合成及光學性質

作者：唐春娟； 戴建廣； 張永勝； 李廣海； 石冬梅；

關鍵詞：硫化鉍； 準納米帶陣列； 光學性質； 水熱法；

機構： 洛陽理工學院數(shù)理部； 中國科學院固體物理研究所納米材料與結構研究室； 洛陽理工學院材料科學與工程系；

摘要： 以五水硝酸鉍和硫脲為原料,采用籽晶技術和水熱相結合的方法,在涂籽晶層的硅片上制備了大面積Bi2S3準納米帶陣列。利用X射線衍射、場發(fā)射掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡和電子衍射等對產物的結構和形貌進行表征。結果表明,合成產物為純正交相的純Bi2S3,納米帶陣列中的納米帶寬約為130nm,長約2μm,并且沿[130]方向優(yōu)先生長。使用涂有Bi2S3納米籽晶的襯底是生長大規(guī)模準納米帶陣列的必要條件,襯底在高壓釜中放置高度影響產物的形貌。Bi2S3準納米帶陣列的形成機理與自組裝生長和Bi2S3的各向異性生長相關。產物的熒光光譜為從650nm到800nm的紅光區(qū)域寬發(fā)光帶,是由Bi2S3準納米帶陣列結構中的復雜缺陷導致的。