鉭摻雜二氧化鈦薄膜的光電性能研究

編號(hào)：CPJS01699

篇名：鉭摻雜二氧化鈦薄膜的光電性能研究

作者：薛將； 潘風(fēng)明； 裴煜；

關(guān)鍵詞：Ta摻雜TiO2； 脈沖激光沉積法； 薄膜； 導(dǎo)電機(jī)理；

機(jī)構(gòu)： 南京航空航天大學(xué)理學(xué)院；

摘要： 采用脈沖激光沉積法(PLD),以石英玻璃為襯底制備了鉭摻雜TiO2薄膜并研究了薄膜樣品的光電性質(zhì).沉積氧氣分氣壓從0.3Pa變化到0.7Pa時(shí)薄膜樣品的帯隙變化范圍是3.26eV到3.49eV.通過(guò)測(cè)量電阻率隨溫度的變化關(guān)系確定了薄膜內(nèi)部的主要導(dǎo)電機(jī)理.在150K到210K溫度范圍內(nèi),熱激發(fā)導(dǎo)電機(jī)理是主要的導(dǎo)電機(jī)理;而在10K到150K范圍內(nèi);電導(dǎo)率隨溫度的變化復(fù)合Mott的多級(jí)變程跳躍模型(VRH);在210K到300K范圍內(nèi),電阻率和exp(b/T)1/2呈正比關(guān)系.