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            聚酰亞胺/二氧化硅納米復(fù)合膜的電沉積與性能研究

            編號:NMJS03575

            篇名:聚酰亞胺/二氧化硅納米復(fù)合膜的電沉積與性能研究

            作者:羅貝貝; 童躍進(jìn); 關(guān)懷民; 肖志紅; 汪明飛

            關(guān)鍵詞:低能乳化法; 聚酰胺酸鹽納米乳液; 非水電沉積; 聚酰亞胺/二氧化硅納米復(fù)合膜

            機(jī)構(gòu): 福建師范大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院; 福建省高分子材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 福建師范大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

            摘要: 本文首先采用低能乳化法制備聚酰胺酸鹽(PAAS)納米乳液,制備的PAAS納米乳液的平均粒徑為35.0nm,將PAAS納米乳液與中性二氧化硅納米溶膠按一定的比例混合后,分別在50、100和150V的電壓下電沉積于電極上(沉積時間3min),電沉積復(fù)合膜經(jīng)過熱亞胺化得到聚酰亞胺/二氧化硅(PI/SiO2)納米復(fù)合膜。FT-IR分析顯示酰亞胺環(huán)上的C=O不對稱伸縮振動特征吸收峰(1778 cm-1)和Si-O-Si的非對稱伸縮振動和對稱伸縮振動特征吸收峰(1116和802cm-1)。X射線能譜儀(EDS)測試結(jié)果表明電沉積膜中存在硅原子,而且隨著二氧化硅投料量的增加硅元素的質(zhì)量百分比相應(yīng)提高。復(fù)合膜的SEM顯示二氧化硅以納米顆粒形式均勻分散在聚酰亞胺基體中。由TG測試得知,PI/SiO2納米復(fù)合膜的熱穩(wěn)定性高于純PI膜。 更多還原

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