編號:FTJS03576
篇名:Si面6H-SiC襯底外延石墨烯的異常硝酸摻雜效應
作者:郝昕; 王澤高; 劉競博; 田洪軍;
關鍵詞:熱裂解SiC; 外延石墨烯; 硝酸摻雜; 方阻; 電荷轉移; 氧脫附;
機構: 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
摘要: 比較研究了Si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸摻雜效應。結果表明對C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯,硝酸摻雜顯現(xiàn)出p型摻雜特性使其方阻降低,這是由于硝酸與石墨烯氧化還原反應過程中電荷轉移所導致;而對于Si面SiC外延石墨烯,硝酸摻雜則顯現(xiàn)出n型摻雜特性使其方阻增大,這種異常摻雜效應是由于硝酸與石墨烯發(fā)生氧化還原反應釋放出的熱量使懸掛鍵吸附的氧脫附,增強了石墨烯與襯底之間的耦合效應,從而使得電子濃度增大,電子的遷移率顯著減小。