CdSe納米晶薄膜的制備與特性研究

編號(hào)：NMJS03503

篇名：CdSe納米晶薄膜的制備與特性研究

作者：曾體賢； 劉其婭； 陳太紅； 諶家軍

關(guān)鍵詞：CdSe薄膜； 熱蒸發(fā)； 透過(guò)率； 禁帶寬度

機(jī)構(gòu)： 西華師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院

摘要： 采用真空熱蒸發(fā)技術(shù),在光學(xué)玻璃基片上生長(zhǎng)出排列整齊、高質(zhì)量的CdSe納米晶薄膜。通過(guò)X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜分析(XPS)、掃描電鏡(SEM)、傅里葉紅外光譜(IR)等進(jìn)行表征。結(jié)果表明,薄膜結(jié)晶性能較好,納米晶顆粒約為40～70 nm,呈半月狀,排列整齊;化學(xué)元素配比為49.4∶50.6,稍微富Se;紅外透過(guò)率高,禁帶寬度為1.89 eV,高于塊狀的CdSe晶體(1.70 eV)。 更多還原