陣列碳納米管薄膜厚度調(diào)控研究

編號(hào)：NMJS03426

篇名：陣列碳納米管薄膜厚度調(diào)控研究

作者：馬康夫1； 2； 付志兵2； 楊　曦2； 王朝陽(yáng)2； 唐永建2；

關(guān)鍵詞：陣列碳納米管； 厚度； 生長(zhǎng)速度；

機(jī)構(gòu)： (1.西南科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,四川 綿陽(yáng)621010； 2.中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心,四川 綿陽(yáng)621900)；

摘要： 采用化學(xué)氣相沉積法制備了陣列碳納米管薄膜,對(duì)薄膜生長(zhǎng)厚度進(jìn)行了系統(tǒng)研究。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜(Raman)對(duì)樣品形貌以及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在相同的生長(zhǎng)時(shí)間和一定的催化劑濃度范圍內(nèi),陣列碳納米管的薄膜厚度隨催化劑濃度提高而增加;在生長(zhǎng)時(shí)間相同時(shí),陣列碳納米管薄膜厚度隨載氣流速的增加而降低,且下降趨勢(shì)近似為線性;隨著生長(zhǎng)時(shí)間的增長(zhǎng),陣列碳納米管薄膜的厚度也隨之增加,且在前60min生長(zhǎng)速度最快達(dá)到24μm/min,60min之后生長(zhǎng)速度減緩。