核殼結(jié)構(gòu) SiC/SiO2納米線的低溫合成與表征

編號(hào)：NMJS03420

篇名：核殼結(jié)構(gòu) SiC/SiO2納米線的低溫合成與表征

作者：趙春榮； 楊娟玉； 丁海洋； 盧世剛；

關(guān)鍵詞：SiC/SiO2核殼結(jié)構(gòu)納米線； 碳熱還原； 酚醛樹(shù)脂； 光致發(fā)光；

機(jī)構(gòu)： 北京有色金屬研究總院； 北京 100088；

摘要： 以酚醛樹(shù)脂(PF)作為碳源, 納米 SiO2為硅源, 在 1300 ℃氬氣氣氛下通過(guò)碳熱還原反應(yīng), 制備出具有核殼結(jié)構(gòu)的 SiC/SiO2納米線。采用 X 射線分析衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)、拉曼光譜(Raman)對(duì)產(chǎn)物的組成、形貌、微觀結(jié)構(gòu)等進(jìn)行了表征。結(jié)果表明; SiC/SiO2納米線長(zhǎng)可達(dá)數(shù)毫米, 單根 SiC/SiO2納米線由直徑 30 nm 的 β-SiC 晶體為內(nèi)核和厚度約 12 nm 的無(wú)定形 SiO2殼層組成; 室溫下 SiC/SiO2納米線的 PL 發(fā)光峰與 β-SiC 單晶的發(fā)光特征峰相比有藍(lán)移。最后, 討論了核殼結(jié)構(gòu) SiC/SiO2納米線的生成機(jī)制。