MgO納米線的制備及其電子發(fā)射性能的研究

編號(hào)：SBJS00340

篇名：MgO納米線的制備及其電子發(fā)射性能的研究

作者：王靈婕1； 熊飛兵1； 郭太良2； 楊尊先2； 葉　蕓2

關(guān)鍵詞：納米材料； MgO； 場(chǎng)致發(fā)射

機(jī)構(gòu)： 1.廈門(mén)理工學(xué)院 光電與通信工程學(xué)院,福建 廈門(mén)361024； 2.福州大學(xué) 物理與信息工程學(xué)院,福建 福州350002

摘要： 采用碳熱還原-氧化法成功制備大小均勻的MgO納米線,采用場(chǎng)致發(fā)射電子顯微鏡(FESEM)和X射線衍射(XRD)表征其形貌及晶體結(jié)構(gòu)。采用絲網(wǎng)印刷將MgO納米線轉(zhuǎn)移到陰極電極,并將陰極電極與印刷有熒光粉的陽(yáng)極電極組裝成二級(jí)場(chǎng)致發(fā)射器件。場(chǎng)致電子發(fā)射測(cè)試表明MgO納米線具有較好的電子 發(fā) 射 特 性:其 閾 值 電 場(chǎng) 強(qiáng) 度 僅 為3.82V/μm(1mA/cm2),最 高 電 流 密 度 達(dá) 到2.68mA/cm2 (4.01V/μm),發(fā)光亮度為1152cd/m2,4h內(nèi)沒(méi)有明顯的衰減。MgO有望作為冷陰極材料在場(chǎng)致發(fā)射器件上得到應(yīng)用。