準(zhǔn)一維GaN納米線中類氫雜質(zhì)態(tài)光學(xué)特性

編號：NMJS03387

篇名：準(zhǔn)一維GaN納米線中類氫雜質(zhì)態(tài)光學(xué)特性

作者：張立；

關(guān)鍵詞：GaN納米線； 結(jié)合能； 變分方法； 雜質(zhì)態(tài)；

機構(gòu)： 廣州番禺職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與機械系；

摘要： 考慮量子結(jié)構(gòu)的各向異性,基于雙參數(shù)變分方法理論分析了準(zhǔn)一維GaN-基納米線結(jié)構(gòu)的類氫雜質(zhì)態(tài)光學(xué)特性。數(shù)值結(jié)果表明,GaN納米線體系的雜質(zhì)結(jié)合能達到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子線中相應(yīng)值的2.5倍。這一結(jié)果與最近GaN納米線雜質(zhì)態(tài)的實驗測量相當(dāng)符合。計算發(fā)現(xiàn),采用雙參數(shù)變分波函數(shù)描述準(zhǔn)一維GaN納米線體系各向異性是有必要的,尤其是當(dāng)納米線尺寸較小時。討論了雜質(zhì)的位置對結(jié)合能、雜質(zhì)基態(tài)能量以及變分參數(shù)的影響,并對這些觀察背后的深刻物理現(xiàn)象進行了分析。