ZnO納米棒陣列膜的制備及其光電化學性能研究

編號：NMJS03381

篇名：ZnO納米棒陣列膜的制備及其光電化學性能研究

作者：王海鋒； 王樹林； 蹇敦亮； 陳海燕； 丁浩冉；

關鍵詞：ZnO納米棒陣列； 化學溶液沉積； 曙紅Y； 染料敏化太陽能電池；

機構： 上海理工大學能源與動力工程學院； 上海理工大學材料科學與工程學院；

摘要： 采用化學溶液沉積法,在ZnO納米顆粒膜修飾的FTO導電玻璃基底上,制備了ZnO納米棒陣列。用X射線衍射儀(XRD)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、透射電子顯微鏡(TEM)對樣品進行表征。研究結果表明所制備的ZnO納米棒為六方纖鋅礦相單晶結構,沿c軸擇優(yōu)取向生長,平均直徑約為40nm,長度約為900nm;ZnO納米棒陣列生長致密,取向性較一致。以曙紅Y敏化的ZnO納米棒陣列膜為光陽極制作了染料敏化太陽能電池原型器件,在光照強度為100mW/cm2下,其開路電壓為0.418V,短路電流為0.889mA/cm2,總的光電轉換效率為0.133%。