磁控濺射沉積非晶碳膜微結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能

編號(hào)：FTJS03524

篇名：磁控濺射沉積非晶碳膜微結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能

作者：尚魁平； 冶艷； 葛培林； 江利； 鮑明東；

關(guān)鍵詞：非晶碳膜； 磁控濺射； 微觀結(jié)構(gòu)； 電阻率；

機(jī)構(gòu)： 中國(guó)礦業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 寧波工程學(xué)院材料工程研究所；

摘要： 在單晶Si(100)基體上,采用閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射方法沉積制備了導(dǎo)電非晶碳膜。X射線衍射(XRD)分析表明薄膜呈明顯的非晶結(jié)構(gòu);用XPS分析了薄膜中的碳鍵結(jié)構(gòu),碳膜的C1s峰位于284~285 eV之間,C1s峰分峰擬合得出sp2C的原子數(shù)分?jǐn)?shù)為59%左右,碳鍵以sp2結(jié)構(gòu)為主;四探針法測(cè)得薄膜的電阻率為1.32×10-6Ω.m�？梢哉J(rèn)為:制備的碳膜是以sp2結(jié)構(gòu)為主的類石墨非晶態(tài)薄膜。