氧化硅緩沖層對于退火形成鍺量子點的作用研究

編號：FTJS03425

篇名：氧化硅緩沖層對于退火形成鍺量子點的作用研究

作者：張磊； 葉輝； 皇甫幼睿； 劉旭；

關鍵詞：鍺量子點； 二氧化硅； 退火；

機構(gòu)： 浙江大學現(xiàn)代光學儀器國家重點實驗室；

摘要： 在化學氧化得到的二氧化硅薄層覆蓋的硅襯底上,室溫淀積鍺膜并進行后期退火處理.實驗表明,不同于傳統(tǒng)退火過程形成大島,通過一定工藝的控制可以獲得高密度(～1011cm-2)的均勻鍺量子點.研究了后期退火溫度對量子點的結(jié)構(gòu)影響的局部反常規(guī)律并進行了原因分析.利用拉曼和熒光光譜研究了其應力和發(fā)光特性,發(fā)現(xiàn)在可見(500nm)和近紅外(1350nm)的兩個光致熒光峰出現(xiàn).