純Mg表面TiO_2薄膜的電化學(xué)腐蝕行為

編號：FTJS03354

篇名：純Mg表面TiO_2薄膜的電化學(xué)腐蝕行為

作者：謝奉妤； 高家誠； 胡德； 張敏；

關(guān)鍵詞：二氧化鈦； 純Mg； 腐蝕； 電化學(xué)阻值；

機構(gòu)： 重慶大學(xué)國家鎂合金材料工程技術(shù)研究中心； 重慶大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)院；

摘要： 以四氯化鈦為前軀體,去離子水為溶劑,鹽酸作為抑制劑,采用溶膠-凝膠的方法制得TiO2溶膠,采用浸漬-提拉技術(shù)在純鎂基體上制得TiO2薄膜,以提高純鎂基體的耐蝕性。通過正交實驗,以電化學(xué)阻抗值作為評價標準,研究了熱處理溫度、涂層次數(shù)、溶膠濃度對試樣耐腐蝕性的影響。結(jié)果表明:溶膠濃度為0.5%,涂層次數(shù)為3,熱處理溫度為100℃下得到的TiO2薄膜具有最好的耐蝕性。