絲網(wǎng)印刷制備大面積多孔PZT熱釋電厚膜與器件

編號：CPJS01538

篇名：絲網(wǎng)印刷制備大面積多孔PZT熱釋電厚膜與器件

作者：吳傳貴； 羅一生； 彭強祥； 羅文博； 張萬里；

關(guān)鍵詞：絲網(wǎng)印刷； 厚膜； PZT； 熱釋電；

機構(gòu)： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室；

摘要： 采用絲網(wǎng)印刷法在氧化鋁基片上制備了大面積多孔PbZr0.3Ti0.7O3熱釋電厚膜與單元紅外探測器。通過摻入Li2CO3與Bi2O3作為助燒劑,實現(xiàn)了厚膜在850℃下的低溫?zé)�結(jié)。通過保持合適的孔隙率,將厚膜的相對介電常數(shù)降低至原值的1/5以提高材料優(yōu)值與探測率。厚膜在1 kHz、25℃下的相對介電常數(shù)與損耗角正切分別為94與0.017。測試了厚膜相對介電常數(shù)與損耗隨溫度的變化規(guī)律,測得其居里溫度為425℃。通過動態(tài)法測試得到厚膜的熱釋電系數(shù)為0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斬波器調(diào)制的黑體輻射,測得單元器件在8.5~2 217 Hz的電壓響應(yīng)與噪聲,計算出器件的探測率為3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。