含氮SW缺陷對單壁碳納米管電子結構和光學性質(zhì)的影響

編號：NMJS03228

篇名：含氮SW缺陷對單壁碳納米管電子結構和光學性質(zhì)的影響

作者：張麗娟； 胡慧芳； 王志勇； 陳南庭； 謝能； 林冰冰；

關鍵詞：單壁碳納米管； Stone-Wales缺陷； 氮摻雜； 光學性質(zhì)；

機構： 廣東藥學院中山校區(qū)實驗中心； 湖南大學物理與微電子科學學院；

摘要： 應用第一性原理密度泛函理論研究了單壁碳納米管中Stone-Wales(SW)缺陷和氮摻雜情況下的電子結構和光學性質(zhì).研究發(fā)現(xiàn),含氮SW缺陷單壁碳納米管體系的總能降低,結合更穩(wěn)定,且在費米能級附近出現(xiàn)一條半滿的雜質(zhì)帶,并且隨著氮摻雜位置的不同,摻雜能態(tài)出現(xiàn)顯著差異.碳管的吸收和反射明顯減弱且吸收峰和反射峰在低能區(qū)發(fā)生紅移現(xiàn)象,在能量小于11eV附近均出現(xiàn)雜質(zhì)特征峰.本文對計算結果進行了分析研究,可望為含氮SW缺陷碳管在光電材料中的應用提供理論依據(jù).