中國粉體網(wǎng)訊 在當今科技飛速發(fā)展的時代，半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心，一直處于不斷創(chuàng)新與變革之中。傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料在過去幾十年里為電子工業(yè)的蓬勃發(fā)展立下了汗馬功勞，但隨著科技對更高性能、更低功耗、更強耐熱性等要求的不斷提升，科研人員將目光投向了具有卓越物理特性的金剛石材料，探索其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。早在五六十年前，科學(xué)界就曾掀起研究金剛石半導(dǎo)體的熱潮，但時至今日，也未能大規(guī)模用上金剛石半導(dǎo)體所制造的器件。有工程師為此感嘆，金剛石或許將永遠處在半導(dǎo)體實用化的邊緣。
金剛石半導(dǎo)體的巨大潛力
金剛石具有一系列令人矚目的特性，使其成為極具吸引力的半導(dǎo)體材料候選者。首先，它的熱導(dǎo)率2000W/(m·K)，是銅的五倍左右，這意味著在芯片工作過程中能夠更高效地散熱，從而顯著提高芯片的可靠性和性能，尤其適用于高功率電子器件的應(yīng)用場景。其次，金剛石具有高擊穿電場強度，相比傳統(tǒng)硅材料能夠承受更高的電壓而不被擊穿，為高壓、大功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)提供了可能。再者，其電子遷移率較高，有助于提高電子器件的開關(guān)速度和工作頻率，能夠滿足高速通信和高性能計算等領(lǐng)域?qū)π酒阅艿膰揽烈�。此外，金剛石還具備良好的化學(xué)穩(wěn)定性和抗輻射性能，使其在惡劣環(huán)境下的電子設(shè)備應(yīng)用中具有獨特優(yōu)勢，例如航空航天、核能等領(lǐng)域。
金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化面臨的重重挑戰(zhàn)
（一）材料生長難題
大尺寸襯底的困境：目前，金剛石單晶襯底的尺寸相對較小，難以滿足大規(guī)模集成電路生產(chǎn)對晶圓尺寸的需求。盡管研究人員在不斷努力擴大襯底尺寸，但與硅晶圓常見的8英寸甚至12英寸相比，仍有較大差距。小尺寸襯底不僅限制了芯片的集成度，而且會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的大幅增加，因為在相同的生產(chǎn)規(guī)模下，小尺寸襯底的芯片產(chǎn)量較低。
生長技術(shù)的瓶頸：化學(xué)氣相沉積（CVD）是制備金剛石薄膜用于半導(dǎo)體的主要方法之一，但該技術(shù)存在生長速率較慢、成本較高的問題。生長過程需要精確控制溫度、壓力、氣體流量等多個參數(shù)，且反應(yīng)條件較為苛刻，這對設(shè)備和工藝的要求極高。此外，通過高溫高壓法（HTHP）制備的金剛石主要應(yīng)用于工業(yè)加工和珠寶領(lǐng)域，難以直接轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量的半導(dǎo)體級材料，而CVD法制備的金剛石在晶體質(zhì)量、均勻性等方面仍有待進一步提高。
（二）摻雜技術(shù)障礙
電離能與重摻雜問題：金剛石本身是絕緣體，通過硼摻雜可實現(xiàn)p型導(dǎo)電，但硼摻雜金剛石的電離能較高，在室溫下難以完全電離，這嚴重限制了其在半導(dǎo)體器件中的電學(xué)性能。而且，重摻雜會導(dǎo)致金剛石表面出現(xiàn)缺陷，使半導(dǎo)體性質(zhì)下降，如何在實現(xiàn)有效摻雜以調(diào)控電學(xué)性質(zhì)的同時避免過多缺陷的產(chǎn)生，是當前亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題之一。
（三）器件制造困境
工藝兼容性挑戰(zhàn)：金剛石的硬度極高，僅次于立方氮化硼，這使得其加工難度極大。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造工藝中，如光刻、蝕刻、摻雜等環(huán)節(jié)，現(xiàn)有的設(shè)備和工藝方法難以直接應(yīng)用于金剛石材料。例如，光刻過程中需要開發(fā)特殊的光刻膠和曝光工藝，蝕刻時需要尋找合適的蝕刻劑和蝕刻條件，這都增加了器件制造的復(fù)雜性和成本。
（四）成本高昂制約
原材料與設(shè)備成本：制備高質(zhì)量的半導(dǎo)體級金剛石，對原材料的純度和質(zhì)量要求極為嚴格，這導(dǎo)致原材料成本居高不下。同時，金剛石生長和加工所需的專業(yè)設(shè)備，如CVD設(shè)備、高溫高壓設(shè)備等，價格昂貴，設(shè)備的維護和運行成本也很高。高額的成本使得金剛石半導(dǎo)體產(chǎn)品在市場競爭中處于劣勢，難以大規(guī)模推廣應(yīng)用。
（五）市場與產(chǎn)業(yè)化配套不完善
市場認知與接受度：金剛石半導(dǎo)體作為一種新興的技術(shù)和材料，市場對其了解和認知還非常有限。與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體在消費電子、計算機等眾多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的成熟局面相比，金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域目前還相對較窄，主要集中在一些高端、特殊領(lǐng)域的研究和試驗階段。市場需求的不足導(dǎo)致企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化投入上較為謹慎，缺乏大規(guī)模生產(chǎn)的動力。
金剛石半導(dǎo)體當前的研究進展與突破
盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但近年來在金剛石半導(dǎo)體領(lǐng)域也取得了一些令人鼓舞的研究進展。全球范圍內(nèi)，對金剛石半導(dǎo)體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作正在如火如荼地進行。從Element Six贏得UWBGS項目，到華為積極布局金剛石半導(dǎo)體技術(shù)；從Diamond Foundry培育出全球首個單晶金剛石晶圓，到Advent Diamond在金剛石摻磷技術(shù)上的突破；再到法國Diamfab計劃在2025年實現(xiàn)4英寸金剛石晶圓的量產(chǎn)，以及日本、美國、韓國等國家的全面發(fā)力，金剛石半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化進程正以前所未有的速度向前推進。
（一）高功率輸出突破
日本佐賀大學(xué)教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本Orbray合作開發(fā)出了用金剛石制成的功率半導(dǎo)體，并以1平方厘米875兆瓦的電力運行，這是目前金剛石半導(dǎo)體中輸出功率的全球最高值，在所有半導(dǎo)體中僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦，展現(xiàn)了金剛石半導(dǎo)體在高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
（二）歐姆接觸技術(shù)突破
哈工大航天學(xué)院/鄭州研究院創(chuàng)新提出過渡金屬（TMs）金屬化方法，首次在絕緣的氧終端本征金剛石（OTD）表面制備出了有效歐姆接觸，10-8Ωcm2級別極低比接觸電阻打破了金剛石器件領(lǐng)域近三十年的記錄。該研究通過對界面結(jié)構(gòu)的微觀表征，發(fā)現(xiàn)TMs擴散進金剛石中產(chǎn)生的淺層晶格損傷是形成歐姆接觸的關(guān)鍵原因，改變了界面過渡金屬碳化物（TMC）的生成是金剛石歐姆接觸的成因這一傳統(tǒng)認知，從而擴展了在金剛石上制備穩(wěn)定低阻歐姆接觸的方法與理論，有望推動金剛石基高頻高功率電子器件與高性能光電器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
（三）加工技術(shù)突破
大族半導(dǎo)體聚力攻克金剛石激光切片技術(shù)（qcb fordiamond），實現(xiàn)了金剛石高質(zhì)量低損傷高效率激光切片。通過精確控制激光在材料內(nèi)部的作用位置，引導(dǎo)裂紋沿著指定平面擴展，實現(xiàn)晶片的無損分離。相比傳統(tǒng)的機械加工方法，該技術(shù)具有非接觸性加工、避免機械應(yīng)力損傷、實現(xiàn)高精度加工、減少材料浪費、提高加工效率等顯著優(yōu)勢，剝離后粗糙度Ra低至3μm以內(nèi)，激光損傷層可大幅度降低至20μm，大幅降低了金剛石的加工成本，推動其在電子、光學(xué)等高端領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
（四）材料制備突破
目前元素六公司已實現(xiàn)4英寸電子級多晶金剛石的商業(yè)化量產(chǎn)，國際最大制備尺寸可達8英寸，隨著MPCVD技術(shù)的改善升級有望與現(xiàn)存的8英寸半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)線兼容，最終實現(xiàn)多晶金剛石熱沉材料在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的規(guī)�；瘧�(yīng)用推廣。
結(jié)語
從種種動向來看，目前業(yè)界對金剛石半導(dǎo)體的關(guān)注程度越高，優(yōu)勢資源不斷匯集，也加速了研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化速度。這意味著“鉆石”晶圓時代的開始。未來，隨著大尺寸、高質(zhì)量以及大范圍、高靈活度的金剛石沉積技術(shù)的逐步開發(fā)，有望使大規(guī)模集成電路和高速集成電路的發(fā)展進入一個新時代。
參考來源：
中國財富網(wǎng)，科技日報，中國科技網(wǎng)，中國粉體網(wǎng)等
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/留白）
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