中國粉體網(wǎng)訊
投資1.5億元!年產(chǎn)280萬片
半導體覆銅陶瓷基板建設項目開工
9月22日,新倉鎮(zhèn)舉行2024平湖西瓜燈群眾文化系列活動全市重大項目集中開工、竣工、投產(chǎn)活動暨新征佳苑建設工程項目開工儀式。
由宇光科技有限公司投資建設,計劃總投資1.5億元,用地面積21.6畝,新建生產(chǎn)車間及配套用房建筑面積3.2萬平方米。項目建設后形成年產(chǎn)280萬片半導體覆銅陶瓷基板的生產(chǎn)能力,預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值3億元。
宇光科技有限公司是一家專注于電真空器件研發(fā)和生產(chǎn)的國家技術(shù)企業(yè),主要產(chǎn)品有真空滅弧室,固封柱,真空電子管,真空直流開關(guān)及新能源用直流用接觸器等,產(chǎn)品廣泛應用于電力、冶金、礦山、鐵路、通訊、廣電、醫(yī)療、新能源、工業(yè)高頻加熱等領(lǐng)域。
奧力威AMB覆銅陶瓷基板項目
預計11月份具備小批量生產(chǎn)能力
據(jù)揚州新聞報道,正在建設的江蘇奧力威傳感高科股份有限公司AMB覆銅基板項目已進入設備進場、安裝階段。
該該項目總投資2億元,預計在11月份具備小批量的生產(chǎn)能力,計劃在2025年正式投產(chǎn)。該項目達產(chǎn)后具備250萬片AMB覆銅基板的生產(chǎn)能力,預計可實現(xiàn)年銷售額5 億元以上。
據(jù)奧力威公告顯示,其自主研發(fā)的AMB氮化硅覆銅載板具有出色的導熱性能、高機械強度、良好的電氣絕緣性能以及優(yōu)異的耐高溫性能,憑借深厚的科研實力,成功研發(fā)出關(guān)鍵焊接材料和工藝技術(shù),產(chǎn)品性能優(yōu)異,可匹配800V平臺及更高電壓和功率的電動車型。
隨著第三代半導體的快速發(fā)展,功率半導體器件正向著小型化、集成化、高功率化方向快速發(fā)展,對封裝基板的性能要求也日益提升。AMB陶瓷覆銅基板憑借高可靠、高導熱等突出性能優(yōu)勢已成為高功率器件的關(guān)鍵封裝材料。隨著碳化硅功率模塊在800V高壓快充車型的應用逐漸成熟,AMB陶瓷覆銅基板已成為車用碳化硅功率模塊封裝應用的首選封裝材料,市場前景巨大。
由于氮化硅(Si3N4)陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能,Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。Si3N4-AMB具有高熱導率、高機械能、高載流能力以及低熱膨脹系數(shù),適用于SiCMOSFET功率模塊、大功率IGBT模塊等高溫、大功率半導體電子器件的封裝材料,應用于電動汽車(EV)和混合動力車(HV)、軌道交通、光伏等領(lǐng)域。
來源:合美新倉、邗江發(fā)布、奧力威公告
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
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