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            【原創(chuàng)】百億光纖市場(chǎng),石英材料成為“頂流”背后


            來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   初末

            [導(dǎo)讀]  石英光纖成為目前通信光纖的主流。

            中國(guó)粉體網(wǎng)訊  隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展,對(duì)通信設(shè)備提出了更高的要求。光纖光纜是信息通信傳輸?shù)闹匾d體,也是數(shù)字經(jīng)濟(jì)信息底座的基礎(chǔ)之一。與其他通信材料相比,石英光纖具有傳輸距離更遠(yuǎn)、速度更快、信號(hào)損耗率更低、不受電磁信號(hào)影響等優(yōu)點(diǎn),可以更好、更快地滿足信息發(fā)送與接收需求。因此,石英光纖成為目前通信光纖的主流。其中,光纖預(yù)制棒更是光纖光纜產(chǎn)業(yè)鏈中附加值最高的一環(huán),也是光纖工藝中最重要的部分。


            來(lái)源:久智科技


            光纖用石英材料制備工藝


            光纖用石英玻璃主要分為石英材料和石英制品;石英材料又分為天然石英材料(主材和輔材)和合成石英材料(主材);石英制品一般指天然石英制品,只作輔材。


            光纖用石英材料(管棒材)制備工藝分為天然石英工藝和CVD合成石英工藝;天然石英工藝主要PSOD、氣煉、電熔、連熔,其中PSOD是主材主流工藝(也可應(yīng)用輔材),氣煉和連熔是輔材主流工藝(但進(jìn)氣管主流工藝是PSOD)。CVD合成石英工藝有OVD、VAD、POD、氣煉CVD,其中OVD、VAD、POD是主材的主流工藝。


            PSOD


            等離子固相沉積法(PSOD)工藝是采用等離子體為熱源,高純石英砂為原料,以低羥基厚壁石英管作為基礎(chǔ)管,水平固定于臥式玻璃車床上,通過(guò)等離子熔制、機(jī)械冷加工、或配套后續(xù)中頻無(wú)接觸二步法拉管等步驟制備出光纖預(yù)制棒用石英襯套管。其中生產(chǎn)單模光纖預(yù)制棒所需要的大尺寸石英套管(Φ外150以上),只需PSOD一步工藝即可實(shí)現(xiàn),多模光纖預(yù)制棒用小尺寸石英套管及預(yù)制棒用石英襯管需要進(jìn)一步通過(guò)中頻無(wú)接觸二步法拉管裝置拉伸制得。


            PSOD熔制工藝

            來(lái)源:谷巨明等.光纖預(yù)制棒用石英襯管和套管的制備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)


            該工藝的特點(diǎn)是以潔凈干燥的空氣等離子體為熱源,能量集中溫度高,可將石英砂直接玻璃化,生產(chǎn)過(guò)程不會(huì)引入羥基且不會(huì)產(chǎn)生有毒有害氣體,無(wú)需脫水、燒結(jié)、脫羥等過(guò)程以及尾氣的環(huán)保處理,工藝路線短,具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。


            久智科技是國(guó)內(nèi)能夠生產(chǎn)光纖預(yù)制棒用襯管和套管的企業(yè)之一。久智科技采用進(jìn)口特制專用IOTA高純石英砂為原料,采用PSOD工藝,產(chǎn)品具有高純度、超高尺寸精度、低羥基、表面無(wú)疵點(diǎn)的特點(diǎn)。


            氣煉法


            氫氧氣煉法是指利用氫氣和氧氣,使用特殊設(shè)計(jì)的燃燒器,在專用設(shè)備上熔制石英玻璃的方法。早期較大口徑的透明石英玻璃管和坩堝是用石英粉料在專用設(shè)備上利用氫氧焰直接熔制。


            氫氧氣煉法工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,不需要二次加熱、綜合能耗低。但制成的砣料尺寸波動(dòng)較大,而且表面波紋嚴(yán)重,羥基含量高。


            電熔法


            電熔法是以電為動(dòng)力源,以天然石英砂粉料為原料熔融制備。電熔石英玻璃的制備和成型方法通常有真空電熔法、連續(xù)熔制法和離心電熔法。電熔二步法拉管工藝,理論上可制備襯套管主材和輔助管棒材,但商業(yè)化應(yīng)用較少,主要用于半導(dǎo)體、特種光源、紅外光學(xué)等。


            人們常用真空電熔法制備石英玻璃,再用兩步法制備尺寸相對(duì)小些的管材、棒材等。真空電熔工藝制備的石英玻璃羥基含量較低;連續(xù)連熔法機(jī)械自動(dòng)化程度高、生產(chǎn)周期長(zhǎng)(不適合小批量多品種),具有生產(chǎn)成本低,產(chǎn)品尺寸一致性好等特點(diǎn)。但產(chǎn)品羥基含量高,需要進(jìn)一步脫羥處理;離心電熔法可以制備大口徑石英玻璃,此外,該方法物耗能耗低。


            OVD法


            OVD工藝是以氫氧焰或硅烷為熱源,用單一或多組噴燈在靶棒上對(duì)SiCl4等反應(yīng)氣體進(jìn)行氣相水解并沉積得到SiO2疏松體(SOOT體),然后在Cl2和He氣下經(jīng)過(guò)脫水和燒結(jié)成為玻璃體,再將靶棒抽走后形成圓筒狀玻璃管。這種石英圓筒(Cylinder)經(jīng)過(guò)機(jī)械加工,具有非常高的幾何精度,大尺寸圓筒(大尺寸套管)可拉成和各芯棒匹配的相應(yīng)尺寸的小尺寸石英套管或玻璃管。


            OVD工藝制造襯套管典型的工藝流程圖

            來(lái)源:谷巨明等.光纖預(yù)制棒用石英襯管和套管的制備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)


            由于OVD技術(shù)屬于化學(xué)合成工藝,制備的石英襯套管的產(chǎn)品純度極高,可達(dá)到雜質(zhì)含量ppb的級(jí)別。隨著制備技術(shù)的不斷發(fā)展,其制造成本也在逐步降低。在沉積過(guò)程中,由于可采用一排甚至兩排燈同時(shí)進(jìn)行沉積,沉積速率可達(dá)到200g/min以上,同時(shí)隨著沉積的進(jìn)行,靶棒外徑的增加,沉積效率會(huì)進(jìn)一步增加,如制造外徑為150mm的大套管,平均沉積效率可達(dá)到60%以上,高沉積速率和高沉積效率使采用OVD工藝制得的套管具有較低的成本。缺點(diǎn)是合成工藝路線流程冗長(zhǎng),原材料利用率低,脫水燒結(jié)工藝復(fù)雜,能耗高,資金投入大。另外生產(chǎn)過(guò)程中使用SiCl4和鹵素氣體,產(chǎn)生大量HCl尾氣,具有較大的環(huán)境壓力,且生產(chǎn)中需要使用稀有He氣(戰(zhàn)略資源),這些都是增加成本的因素。


            德國(guó)Heraeus公司為技術(shù)標(biāo)桿,OVD工藝技術(shù)在這一領(lǐng)域處于領(lǐng)先和壟斷地位。另外,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)飛光纖公司自主開(kāi)發(fā)的OVD工藝及裝備,可用于常規(guī)單模光纖預(yù)制棒外包層的制造,實(shí)現(xiàn)高效率單模光纖預(yù)制棒的生產(chǎn)。


            PCVD


            PCVD工藝是指等離子體化學(xué)氣相沉積法,其利用微波將石英襯管內(nèi)的原材料氣體激發(fā)成等離子狀態(tài),然后進(jìn)行化學(xué)氣相沉積,在管內(nèi)壁形成均一透明的玻璃層,最后通過(guò)加熱和負(fù)壓,將含有沉積層的管材熔縮成實(shí)心芯棒。PCVD工藝在光纖預(yù)制棒的精度控制、原材料利用率上具有先天優(yōu)勢(shì),更適合生產(chǎn)剖面結(jié)構(gòu)復(fù)雜、技術(shù)要求更高的光纖預(yù)制棒芯棒。


            PCVD技術(shù)是長(zhǎng)飛光纖的核心技術(shù)之一,支撐著光纖預(yù)制棒芯棒的制造。長(zhǎng)飛光纖通過(guò)PCVD工藝和摻雜技術(shù),可以進(jìn)一步降低光纖衰耗,優(yōu)化產(chǎn)品性能指標(biāo),開(kāi)發(fā)出包括低衰耗光纖和多模光纖等多種類型的光纖產(chǎn)品。



            來(lái)源:長(zhǎng)飛光纖


            VAD


            VAD工藝是指軸向氣相沉積法,其利用氫氧焰作為熱源,將原材料氣體轉(zhuǎn)化成玻璃粉體,再通過(guò)高溫進(jìn)行脫水燒結(jié)獲得均一透明的芯棒母棒,最后經(jīng)過(guò)加熱拉伸形成尺寸合適的VAD芯棒。VAD工藝由于其較高的沉積速率和靈活的摻雜控制,在生產(chǎn)剖面結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的單模光纖預(yù)制棒芯棒更具優(yōu)勢(shì)。


            長(zhǎng)飛光纖公司掌握VAD生產(chǎn)工藝,通過(guò)該工藝,公司在不斷提高常規(guī)單模光纖預(yù)制棒的尺寸和質(zhì)量的同時(shí),還能夠通過(guò)實(shí)現(xiàn)高濃度摻氟工藝,降低光纖預(yù)制棒的損耗水平和生產(chǎn)成本,從而進(jìn)一步降低光纖的損耗水平和制造成本。


            光纖制程用高純石英砂要求


            在預(yù)制棒制作階段,石英中的羥基會(huì)擴(kuò)散到芯層內(nèi),導(dǎo)致光纖衰減超標(biāo);過(guò)渡金屬離子會(huì)導(dǎo)致微觀不均勻,增加光纖損耗,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。為了生產(chǎn)零水峰光纖和消除過(guò)渡金屬雜質(zhì)對(duì)光纖衰減的影響,一般要求芯層內(nèi)的羥基質(zhì)量分?jǐn)?shù)<1×10-9,預(yù)制棒中金屬雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)<1×10-10,SiO2質(zhì)量分?jǐn)?shù)在99.997%以上。


            2024年7月,由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出,全國(guó)工業(yè)玻璃和特種玻璃標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC447)歸口,久智光電子材料科技有限公司、天津富通信息科技股份有限公司等公司起草的標(biāo)準(zhǔn)《JC/T 2832-2024光纖制程用高純石英砂》公示,文件進(jìn)一步對(duì)光纖制程用高純石英砂的分級(jí)要求等作出了規(guī)定。文件適用于光纖主材、光纖輔材制程用高純石英砂,包括以天然石英礦為原料通過(guò)加工、提純等生產(chǎn)工藝制備的石英砂,以及以含硅化合物為原料、采用物理、化學(xué)方法制備的合成石英砂。


            等離子體熔融法、氣煉熔融法、連熔法等石英制備工藝對(duì)石英砂粒度分布有不同要求。


            石英砂粒度分布


            石英砂各雜質(zhì)元素含量應(yīng)不超過(guò)規(guī)定。


            石英砂雜質(zhì)元素含量要求


            參考來(lái)源:

            谷巨明等.光纖預(yù)制棒用石英襯管和套管的制備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)

            谷巨明.光纖用石英玻璃的制備應(yīng)用及石英砂選擇

            白鳳茹.等離子固相外沉積大尺寸石英套管研究

            標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng).《JC/T 2832-2024光纖制程用高純石英砂》

            長(zhǎng)飛光纖招股說(shuō)明書(shū)、官網(wǎng)、久智科技官網(wǎng)


            (中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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            推薦5

            作者:初末

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