中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近年來，電子集成技術(shù)發(fā)展迅速，電子設(shè)備的組裝密度提高較為迅速，電路的體積逐漸縮小，整個(gè)發(fā)展趨勢(shì)向輕薄小方向。在頻率較高的情況下，工作的熱量很容易聚集，難以排出。為了保證電子元器件的良好運(yùn)行，散熱能力的大小是關(guān)鍵因素。
氮化鋁(AlN)因具有較高的熱導(dǎo)率(320W/m·K，25℃)、良好的絕緣性(＞1014Ω·cm)、較低的介電常數(shù)(8.8，1MHz)與介電損耗(tanσ＝10-4)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)(3.2×10-6K-1)、無毒以及優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械性能和抗等離子性等特性而受到電子工業(yè)的廣泛關(guān)注。尤其球形氮化鋁粉體具有高流動(dòng)性和堆積密度，作為填料使用時(shí)對(duì)體系粘度影響較小，有利于實(shí)現(xiàn)高填充，從而提高氮化鋁基板的散熱能力。
目前，常用的球形氮化鋁粉體制備方法是先將氧化鋁和碳源混合均勻(在混合過程中可加入燒結(jié)助劑)，然后在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行高溫氮化得到含碳氮化鋁，再將含碳氮化鋁在空氣或氧氣氣氛下進(jìn)行碳熱還原得到球形氮化鋁。但這種制備方法得到的是非致密的球形氮化鋁顆粒，將其用于填充材料時(shí)會(huì)出現(xiàn)填充量低、吸油值大等問題。
近日，安徽壹石通材料科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用”，公開號(hào)CN202311836763.5，申請(qǐng)日期為2023年12月。
專利摘要顯示，該發(fā)明公開了一種致密化球形氮化鋁及其制備方法與應(yīng)用，涉及導(dǎo)熱填料技術(shù)領(lǐng)域，該發(fā)明以亞微米級(jí)的氮化鋁為原料，并加入少量的氧化釔和鋁溶膠，通過噴霧造粒技術(shù)獲得多孔球形氮化鋁，然后將多孔球形氮化鋁與隔離劑混合均勻后依次進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)以及除碳處理，最終得到球形度高且整體致密化的球形氮化鋁，顯著降低球形氮化鋁的比表面積，提高球形氮化鋁作為導(dǎo)熱填料的填充量，從而有效改善復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。
來源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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