中國(guó)粉體網(wǎng)訊  5月29日，科友半導(dǎo)體碳化硅晶體生長(zhǎng)車(chē)間傳來(lái)捷報(bào)，自主研發(fā)的電阻長(zhǎng)晶爐再次實(shí)現(xiàn)突破，成功制備出多顆中心厚度超過(guò)80mm，薄點(diǎn)厚度超過(guò)60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅單晶，這也是國(guó)內(nèi)首次報(bào)道和展示厚度超過(guò)60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來(lái)降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力。此批次晶體呈現(xiàn)出微凸的形貌，表面光滑無(wú)明顯缺陷。

中心厚度超過(guò)80mm，最低厚度超62mm的6英寸碳化硅單晶

據(jù)介紹，科友半導(dǎo)體基于自研電阻爐，通過(guò)借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長(zhǎng)高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，將兩種制備方法的優(yōu)勢(shì)成功結(jié)合到一起。大厚度晶體的成功制備標(biāo)志著科友半導(dǎo)體突破了大厚度碳化硅單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)難題，向大尺寸碳化硅襯底低成本量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步，進(jìn)一步彰顯出電阻加熱式長(zhǎng)晶爐在替代傳統(tǒng)感應(yīng)爐、推動(dòng)襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。

同時(shí)，科友半導(dǎo)體基于先進(jìn)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了適宜的溫度梯度，有效削弱了生長(zhǎng)室內(nèi)的軸向溫度梯度與徑向溫度梯度之間的耦合效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了均勻溫場(chǎng)條件下的軸向溫度梯度改善，獲得了平微凸形貌的單晶生長(zhǎng)，大幅減少了單晶內(nèi)部應(yīng)力以及因應(yīng)力引起的缺陷增殖。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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