中國(guó)粉體網(wǎng)訊
產(chǎn)業(yè)政策
河北省科技廳：將碳化硅襯底等列入重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目！
2023年，10月，河北省科學(xué)科技廳對(duì)2023年新一代電子信息和新能源領(lǐng)域擬立項(xiàng)重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅單晶襯底制備技術(shù)及應(yīng)用示范”和“碳化硅功率器件用高導(dǎo)熱陶瓷封裝技術(shù)研發(fā)”兩個(gè)項(xiàng)目在列。
蘇州新政：碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)發(fā)展
蘇州市人民政府印發(fā)《關(guān)于加快培育未來(lái)產(chǎn)業(yè)的工作意見(jiàn)》，開(kāi)展碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等單晶襯底及外延材料制備，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件、射頻器件等關(guān)鍵部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。
經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制
2023年7月3日晚間，商務(wù)部、海關(guān)總署聯(lián)合發(fā)布公告，對(duì)鎵和鍺兩種金屬相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。其中，鎵相關(guān)物項(xiàng)包含氮化鎵、砷化鎵、銦鎵砷等；鍺相關(guān)物項(xiàng)包含磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺等。該公告自2023年8月1日起正式實(shí)施。
2023湖南省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目公布，三安半導(dǎo)體碳化硅項(xiàng)目在列
2023年4月，湖南省發(fā)改委發(fā)布2023年省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目名單，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目總投160億元，主要建設(shè)碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體等的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目垂直整合了自襯底材料-外延生長(zhǎng)-晶圓制造-到封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。
3項(xiàng)碳化硅晶片相關(guān)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始征求意見(jiàn)
T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)系列標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制，并于2023年3月22日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期為2023年4月21日。
科技前沿
微電子所在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)研究成果入選第14屆氮化物半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議。
新成果！浙大科創(chuàng)中心8英寸碳化硅襯底研制成功
浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)系列技術(shù)攻關(guān)，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)及其襯底制備方面取得突破，成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底片，成功躋身8英寸碳化硅俱樂(lè)部。
電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展
電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。
廈門大學(xué)成功突破8英寸碳化硅外延技術(shù)
2023年3月，廈門大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質(zhì)外延生長(zhǎng)，成為國(guó)內(nèi)首家擁有并實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)技術(shù)的機(jī)構(gòu)。廈門大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，其克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開(kāi)裂、外延層厚度均勻性更難控制等問(wèn)題，成功實(shí)現(xiàn)了基于國(guó)產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長(zhǎng)。
日本大阪公立大學(xué)等首次證實(shí)半導(dǎo)體材料3C-SiC具有高熱傳導(dǎo)率
由日本大阪公立大學(xué)與東北大學(xué)、AIR Water及美國(guó)伊利諾大學(xué)組成的研究團(tuán)隊(duì)證實(shí)確認(rèn)AIR Water開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體材料3C-SiC具有高傳導(dǎo)率，由于其成本相對(duì)較低，可制成大直徑晶圓，將可望有助于實(shí)現(xiàn)高散熱性器件。
行業(yè)動(dòng)態(tài)
《中國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告（2023～2026）》重磅推出！
為幫助企業(yè)全面系統(tǒng)了解碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，發(fā)現(xiàn)市場(chǎng)機(jī)會(huì)，把握產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，中國(guó)粉體網(wǎng)粉體大數(shù)據(jù)研究通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外主要碳化硅襯底企業(yè)進(jìn)行調(diào)研，收集大量的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)、權(quán)威報(bào)道和技術(shù)文獻(xiàn)資料等，推出《中國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告（2023～2026）》。
粉體大數(shù)據(jù)研究|《中國(guó)碳化硅功率器件市場(chǎng)行情動(dòng)態(tài)及發(fā)展趨勢(shì)報(bào)告》正式推出！
為幫助企業(yè)全面系統(tǒng)了解國(guó)內(nèi)外碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，發(fā)現(xiàn)市場(chǎng)投資機(jī)會(huì)，把握產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，中國(guó)粉體網(wǎng)粉體大數(shù)據(jù)研究推出《中國(guó)碳化硅功率器件市場(chǎng)行情動(dòng)態(tài)及發(fā)展趨勢(shì)報(bào)告》。
SiC襯底企業(yè)同光股份完成F輪融資
河北同光半導(dǎo)體股份有限公司宣布完成F輪融資。同光股份表示，所融資金將用于進(jìn)一步加速重點(diǎn)項(xiàng)目布局，加筑技術(shù)壁壘，構(gòu)建企業(yè)級(jí)生態(tài)體系，培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)人才。
山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司研制出8英寸碳化硅晶體
2023年11月21日，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司宣布自主研制的SiC單晶生長(zhǎng)爐上成功制備出直徑超過(guò)205毫米的8英寸導(dǎo)電型SiC晶體，晶體表面光滑無(wú)缺陷，厚度超過(guò)20毫米，同時(shí)已經(jīng)順利加工出8英寸SiC襯底片。
中電化合物首批次8英寸SiC外延片交付
中電化合物首批次8英寸SiC外延片交付！自2019年11月1日公司成立，中電化合物歷時(shí)四年，不斷實(shí)現(xiàn)從0到1的突破，自主研發(fā)、生產(chǎn)的6英寸碳化硅晶錠、襯底片和外延片早已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。2023年在8英寸碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)上也獲得了重大進(jìn)展。
三星切入碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫�。⊿tephen Hong）擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。
64.5億！中國(guó)香港將建首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠
中國(guó)香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)中國(guó)香港首間碳化硅8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠。據(jù)科技園公司介紹，該項(xiàng)目的總投資額預(yù)約港幣69億元，按規(guī)劃通線、擴(kuò)產(chǎn)，于2028年達(dá)到年產(chǎn)量24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)港幣110億元。
科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線
2023年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線，這標(biāo)志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅(jiān)實(shí)一步。
天岳先進(jìn)新簽8.05億元碳化硅襯底大單
2023年8月，天岳先進(jìn)發(fā)布公告，公司與客戶F簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議，約定2024年至2026年公司向合同對(duì)方銷售碳化硅產(chǎn)品，按照合同《產(chǎn)品供貨清單》，預(yù)計(jì)含稅銷售三年合計(jì)金額為人民幣80,480.00 萬(wàn)元（最終以實(shí)際數(shù)量結(jié)算金額為準(zhǔn)）。
住友電工將生產(chǎn)碳化硅晶圓，將使電動(dòng)汽車行駛里程延長(zhǎng)10%
據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，日本汽車供應(yīng)商住友電氣工業(yè)株式會(huì)社將開(kāi)始生產(chǎn)用于下一代半導(dǎo)體的節(jié)能碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)將使電動(dòng)汽車的行駛里程延長(zhǎng)10%。住友電工計(jì)劃投資約300億日元（約合2.14億美元），用于支付在富山縣建設(shè)新工廠的費(fèi)用，該工廠將在2027年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅晶圓。該投資額還將用于擴(kuò)建兵庫(kù)縣現(xiàn)有工廠的生產(chǎn)能力。
安森美宣布與博格華納擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作
2023年7月19日，安森美宣布與博格華納擴(kuò)大碳化硅方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元（約合人民幣72.2億元）。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。
志橙半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板IPO獲受理，擬募資8億元用于SiC材料項(xiàng)目
2023年6月27日，深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司在深市創(chuàng)業(yè)板提交招股書申報(bào)稿。志橙半導(dǎo)體本次擬募資8億元，用于SiC材料研發(fā)制造總部項(xiàng)目、SiC材料研發(fā)項(xiàng)目、發(fā)展和科技儲(chǔ)備資金。
欣銳科技與安森美半導(dǎo)體共同打造的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室已正式投入使用
2023年6月，欣銳科技與安森美半導(dǎo)體共同打造的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室已正式投入使用。欣銳科技提到，與安森美成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的目的是通過(guò)對(duì)核心功率器件，特別是SiC的應(yīng)用技術(shù)進(jìn)行先期研究，為新能源汽車車載電源提供支持與保障。
合盛硅業(yè)布局碳化硅！
合盛硅業(yè)發(fā)布公告，公司控股子公司寧波合盛新材成功研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體材料并具備量產(chǎn)能力。
新能源汽車市場(chǎng)需求火熱，巨頭扎堆GaN
2023年5月，歐洲確立了一項(xiàng)高達(dá)6000萬(wàn)歐元（約合人民幣4.55億元）的氮化鎵（GaN）科研項(xiàng)目，旨在建立從功率芯片到模塊的完整供應(yīng)能力。除了牽頭人英飛凌，另有其45家合作伙伴參與其中。
SK集團(tuán)釜山新廠將量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍
據(jù)韓國(guó)媒體The Elec報(bào)道，SK集團(tuán)于2023年5月16日宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式投入批量生產(chǎn)，這意味著SK集團(tuán)的SiC（碳化硅）半導(dǎo)體產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍，預(yù)計(jì)2026年SK powertech銷售額增長(zhǎng)將超過(guò)5000億韓元（約合3.74億美元）。
國(guó)產(chǎn)SiC打進(jìn)國(guó)際供應(yīng)鏈體系
2023年4月27日，天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露，2022年其與博世集團(tuán)簽署長(zhǎng)期協(xié)議，加入博世集團(tuán)的碳化硅襯底片供應(yīng)商行列，以支持下游車企對(duì)高功率設(shè)備不斷增長(zhǎng)的需求。5月4日，英飛凌宣布，他們與天科合達(dá)和天岳先進(jìn)兩家碳化硅襯底廠商簽訂SiC襯底和晶錠的多年合作協(xié)議。
深圳基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線
2023年4月24日，深圳基本半導(dǎo)體有限公司車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。該產(chǎn)線的順利通線，將全面提升粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體制造實(shí)力和核心競(jìng)爭(zhēng)力，助力國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)碳化硅芯片供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)自主可控。
揚(yáng)杰科技：投資10億元擬建6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目
2023年4月20日，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司發(fā)布公告稱，公司已于4月18日與揚(yáng)州市邗江區(qū)政府簽署《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬在當(dāng)?shù)赝顿Y新建6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元。
碳化硅芯片設(shè)計(jì)公司與清華大學(xué)汽研院聯(lián)合，建立“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”
2023年3月24日，清華大學(xué)蘇州汽車研究院和深圳市至信微電子在蘇州吳江區(qū)正式簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，旨在推動(dòng)碳化硅技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運(yùn)用，加速第三代半導(dǎo)體碳化硅在新能源車產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開(kāi)發(fā)。
特斯拉將減少75%的碳化硅的使用
特斯拉在投資者活動(dòng)日上表示，“我們下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅�！痹撗哉撛鹆烁鹘鐚�(duì)碳化硅半導(dǎo)體發(fā)展的擔(dān)憂。
2023年SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值估將突破22億美元
據(jù) TrendForce集邦咨詢 研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。
晶盛機(jī)電成功推出6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備
2023年2月4日，晶盛機(jī)電舉行6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備新品發(fā)布會(huì)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品歷時(shí)兩年的研發(fā)、測(cè)試與驗(yàn)證，在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面已取得國(guó)際領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。
總投資或達(dá)30億美元，Wolfspeed與采埃孚擬在德國(guó)建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體工廠
2023年1月，半導(dǎo)體廠商Wolfspeed計(jì)劃與汽車零部件供應(yīng)商采埃孚合作，在德國(guó)薩爾州建設(shè)半導(dǎo)體廠。該廠總投資額或達(dá)30億美元，計(jì)劃在2027年投產(chǎn)、2030年滿產(chǎn)，并有望一躍成為全球最大的碳化硅半導(dǎo)體工廠，產(chǎn)品將主要供應(yīng)電動(dòng)汽車、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域。
產(chǎn)業(yè)進(jìn)展
總投資21.2億元！晶盛機(jī)電碳化硅襯底片項(xiàng)目簽約
2023年11月4日，晶盛機(jī)電舉行“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”簽約暨啟動(dòng)儀式，旨在加快半導(dǎo)體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，這一舉措標(biāo)志著晶盛機(jī)電在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力將進(jìn)一步提升。
投資近35億元！年產(chǎn)70萬(wàn)片的SiC襯底項(xiàng)目簽約包頭
2023年10月10日，包頭市人民政府與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司在包頭市正式簽署“年產(chǎn)70萬(wàn)片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目”戰(zhàn)略合作協(xié)議。該項(xiàng)目由包頭·北京科創(chuàng)基地協(xié)助導(dǎo)入，計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)，總投資34.57億元，項(xiàng)目總建設(shè)周期為3年，正式投產(chǎn)時(shí)將建成年產(chǎn)70萬(wàn)片6-8寸單晶襯底生產(chǎn)線，同時(shí)包含碳化硅單晶長(zhǎng)晶和切磨拋加工與檢測(cè)等。
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)
2023年9月6日，由南京市人民政府、中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司指導(dǎo)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在江寧開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。10個(gè)總投資額超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目在大會(huì)上簽約，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。
天科合達(dá)SiC項(xiàng)目開(kāi)工
2023年8月8日上午，江蘇天科合達(dá)碳化硅襯底二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)舉行，新增16萬(wàn)片產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2024年8月投產(chǎn)，屆時(shí)江蘇基地的總產(chǎn)能將達(dá)到23萬(wàn)片。
平煤神馬1000噸碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目開(kāi)工
2023年5月24日，八礦新能源綠色礦山綜合利用項(xiàng)目在八礦開(kāi)工。同時(shí)，1000噸碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目在平頂山電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開(kāi)工。項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)產(chǎn)能位居全國(guó)前列，產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率在30%以上，全球市場(chǎng)占有率在10%以上。
泰科天潤(rùn)北京SiC總部項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)
2023年3月27日，北京市重點(diǎn)工程泰科天潤(rùn)總部項(xiàng)目舉行開(kāi)工奠基儀式。泰科天潤(rùn)總部項(xiàng)目位于中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬(wàn)平米，主要用于總部基地建設(shè)。
國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)
2023年3月22日，國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會(huì)在廣西柳州舉行。颶芯科技建成的國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線包含8大工藝站點(diǎn)，擁有全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體量產(chǎn)設(shè)備100余臺(tái)，涵蓋襯底、外延，工藝與封測(cè)等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)，標(biāo)志著GaN半導(dǎo)體激光器芯片實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代和自主可控。
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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