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            氮化鋁陶瓷在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的兩大應(yīng)用方向


            來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

            [導(dǎo)讀]  隨著下游領(lǐng)域,如大規(guī)模集成電路、IGBT、微波通訊、汽車(chē)電子和影像傳感等產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,氮化鋁的應(yīng)用范圍將進(jìn)一步擴(kuò)大。

            中國(guó)粉體網(wǎng)訊  隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子整機(jī)和電子元器件正朝微型化、輕型化、集成化,以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展,越來(lái)越復(fù)雜的器件對(duì)基板和封裝材料的散熱提出了更高要求,自此,擁有高導(dǎo)熱性能的氮化鋁基板成為了散熱基板領(lǐng)域的“明星材料”,在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中甚至可取代氧化鋁基板,應(yīng)用前景廣闊。


            氮化鋁在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用


            IGBT用氮化鋁陶瓷基板


            在新能源汽車(chē)“新四化”的浪潮下,對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求也日漸迫切。高壓大功率的IGBT模塊技術(shù)門(mén)檻較高,難度較大,且要求封裝材料散熱性能好、可靠性高、載流量更大,陶瓷覆銅基板優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,使得其成為電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝中不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。


            陶瓷覆銅基板,來(lái)源:富樂(lè)華


            相比Al2O3陶瓷基板和Si3N4陶瓷基板,AlN陶瓷基板具有這些優(yōu)勢(shì):使用AlN陶瓷基板作為芯片的承載體,可以將芯片與模塊散熱底板隔離開(kāi),基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV),而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性,熱導(dǎo)率可以達(dá)到170-260W/m·K。這些優(yōu)異的性能都使得氮化鋁覆銅板成為高壓IGBT模塊封裝的首選。


            此外,AlN陶瓷基板膨脹系數(shù)同硅相近,不會(huì)造成對(duì)芯片的應(yīng)力損傷,氮化鋁陶瓷基板抗剝力>20N/mm2,具有優(yōu)秀的機(jī)械性能,耐腐蝕,不易發(fā)生形變,可以在較寬溫度范圍內(nèi)使用,提高了高壓IGBT模塊的可靠性。


            LED大燈用氮化鋁


            汽車(chē)LED大燈的工作溫度是極其高的,如果無(wú)法及時(shí)散熱,會(huì)導(dǎo)致亮度衰減加快,這時(shí)候就得看LED散熱基板的性能是否給力了。氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、優(yōu)良的絕緣性及與燈珠更匹配的熱膨脹技術(shù)等一系列優(yōu)點(diǎn),用于大功率的大燈是再好不過(guò)的選擇了。而且不光是汽車(chē)大燈,氮化鋁陶瓷基板在汽車(chē)上的應(yīng)用還有很多,如各種傳感器及智能汽車(chē)的各種大功率模塊等,前景可謂是一片大好。


            來(lái)源:pixabay


            高性能的氮化鋁陶瓷關(guān)鍵在于粉體制備


            氮化鋁粉體制備技術(shù)可以分為直接氮化法、碳熱還原法、自蔓延法、等離子體法、化學(xué)氣相法、溶液法和高能球磨法。


            氮化鋁粉體制備常用方法


            其中,碳熱還原法獨(dú)占鰲頭,占了將近五成的比例,其次是直接氮化法和自蔓延法,分別為26%和12%,這三種方法也是實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化應(yīng)用的方法。這些方法技術(shù)相對(duì)成熟,設(shè)備需求較為簡(jiǎn)單,產(chǎn)出品的純度也較高。然而,這些工藝涉及的配方和步驟較為復(fù)雜,生產(chǎn)能耗較高,同時(shí)存在一定的安全風(fēng)險(xiǎn),這些因素都制約了氮化鋁在大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用方面的發(fā)展。


            國(guó)內(nèi)氮化鋁粉體制備技術(shù)在高品質(zhì)方面與國(guó)外相比存在差距,無(wú)論是品質(zhì)還是穩(wěn)定性。目前市場(chǎng)上的氮化鋁粉體主要由日本德山(占全球高純氮化鋁粉體市場(chǎng)份額的75%)、東洋鋁業(yè)、德國(guó)Starck以及美國(guó)DOW化學(xué)等供應(yīng),這些產(chǎn)品的純度可達(dá)99.9%。在能夠量產(chǎn)高質(zhì)量配方粉體的企業(yè)數(shù)量上,國(guó)內(nèi)現(xiàn)有很少(目前已有兩家企業(yè)進(jìn)入了配方粉體導(dǎo)入階段)。


            國(guó)內(nèi)AlN產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,國(guó)產(chǎn)替代空間巨大


            隨著半導(dǎo)體和新能源行業(yè)的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)界對(duì)大功率電力電子芯片、光芯片等封裝散熱提出更高要求,陶瓷基板正處在從氧化鋁向氮化鋁、氮化硅等方向的技術(shù)演進(jìn)。雖然目前國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)值占比仍較低,但預(yù)示著未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代空間大。


            目前,全球氮化鋁基板的生產(chǎn)主要由少數(shù)廠家壟斷,其中日本是最大的出口國(guó),主要核心廠商包括丸和和京瓷等。制造氮化鋁基板需要高溫?zé)Y(jié)爐,早期這些設(shè)備必須從日本進(jìn)口,每臺(tái)價(jià)格高達(dá)600萬(wàn),直到2015年,國(guó)內(nèi)才攻克了這一技術(shù)難題。如今,國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出一批具備大規(guī)模氮化鋁基板生產(chǎn)能力的企業(yè),其中龍頭企業(yè)的產(chǎn)能已經(jīng)超過(guò)50萬(wàn)片/月,逐步接近日本丸和的水平。隨著高品質(zhì)氮化鋁基板生產(chǎn)能力的不斷提高,有望改變長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口高性能陶瓷基板的局面。


            氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)目前的規(guī)模約為10億元,自2019年至2022年,國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)的復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)20%。隨著下游領(lǐng)域,如大規(guī)模集成電路、IGBT、微波通訊、汽車(chē)電子和影像傳感等產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,以及電子器件功率不斷提高,氮化鋁的應(yīng)用范圍將進(jìn)一步擴(kuò)大。根據(jù)行業(yè)專(zhuān)家的預(yù)測(cè),未來(lái)幾年,氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)空間的增長(zhǎng)速度將保持在20%以上,按此增長(zhǎng)速率計(jì)算,到2026年,氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到20億元。


            由此,2023年9月12日,中國(guó)粉體網(wǎng)合肥舉辦“第一屆電動(dòng)車(chē)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)”。合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院魏鑫博士將帶來(lái)題為《高性能氮化鋁陶瓷研究及其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用》的報(bào)告。魏鑫博士將會(huì)詳細(xì)講述氮化鋁粉體的制備技術(shù)及其在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用。





            參考來(lái)源:

            半導(dǎo)體在線:陶瓷基板產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)分析

            張爽等:氮化鋁粉體制備國(guó)內(nèi)專(zhuān)利技術(shù)分析

            范華樂(lè):氮化鋁填充電子灌封膠


            (中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

            注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除

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            作者:空青

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