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            新能源汽車市場(chǎng)需求火熱,巨頭扎堆GaN


            來源:蓋世汽車

            [導(dǎo)讀]  GaN功率器件主要用于車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

            中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,歐洲確立了一項(xiàng)高達(dá)6000萬歐元(約合人民幣4.55億元)的氮化鎵(GaN)科研項(xiàng)目,旨在建立從功率芯片到模塊的完整供應(yīng)能力。除了牽頭人英飛凌,另有其45家合作伙伴參與其中。  


            毫無疑問,這項(xiàng)規(guī)模大且投入高的GaN項(xiàng)目,凸顯了英飛凌加碼布局三代半的決心。某種程度上,這也將成為歐洲提高芯片制造份額、打造彈性供應(yīng)鏈的重要一步。    



            圖片來源:Fair Observer  


            巨頭扎堆  


            作為全球最大的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,英飛凌對(duì)GaN的投入,想必不用多說。  


            去年2月份,英飛凌宣布將斥資逾20億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū),以生產(chǎn)SiC和GaN功率半導(dǎo)體。同時(shí)其表示,未來將對(duì)奧地利菲拉赫工廠的Si生產(chǎn)線進(jìn)行改造,轉(zhuǎn)換為SiC和GaN的產(chǎn)能。  


            而早些時(shí)候,英飛凌宣布和GaN Systems簽署了最終協(xié)議,將以8.3億美元收購后者。稍顯激進(jìn)的擴(kuò)張動(dòng)作,持續(xù)推進(jìn)的GaN技術(shù)路線圖,無一不證明英飛凌對(duì)這塊“蛋糕”的垂涎。 


            2021年全球前十大功率半導(dǎo)體廠商排名中,英飛凌憑借絕對(duì)的收入優(yōu)勢(shì)位列第一名,其后分別是安森美、意法半導(dǎo)體、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝、威世、安世半導(dǎo)體、瑞薩電子以及羅姆。  

            這里面幾乎每一家公司都在加快布局GaN。  


            從三代半功率器件的應(yīng)用來看,消費(fèi)類產(chǎn)品電源、工業(yè)和商業(yè)類電源以及新能源汽車為主要市場(chǎng)。尤其隨著新能源汽車滲透率不斷提高,對(duì)節(jié)能、對(duì)充電效率的要求越來越高,三代半的潛力愈發(fā)突出。  


            GaN功率器件主要用于車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。相比于Si,GaN可以將充電速度提高至少三倍;相比SiC,其在耐高溫、耐高頻和耐高壓上也更具優(yōu)勢(shì)。  


            但目前受限于晶圓制備工藝和成本因素,GaN的產(chǎn)量遠(yuǎn)不及SiC,進(jìn)而應(yīng)用速度稍顯落后。   


            國(guó)產(chǎn)GaN伺機(jī)而動(dòng) 


            根據(jù)Yole的預(yù)測(cè),2023年SiC滲透率將達(dá)到3.75%,而GaN滲透率則會(huì)達(dá)到1.0%。   


            正如賽迪顧問新材料產(chǎn)業(yè)研究中心首席分析師李龍?jiān)?022世界半導(dǎo)體大會(huì)上所言,第三代半導(dǎo)體行業(yè)總體上看處于發(fā)展早期階段,任何一個(gè)玩家若能實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,就可以改變目前的市場(chǎng)格局。  


            因而三代半也被視為本土玩家換道超車的重要領(lǐng)域。  


            近年來,多家本土企業(yè)逐步掌握了GaN晶圓制造的能力,以此為基礎(chǔ),中游GaN器件廠商也在馬不停蹄地建設(shè)產(chǎn)能。包括三安光電、英諾賽科、賽微電子、華潤(rùn)微、能華微電子等多家公司都在積極推進(jìn)GaN器件的落地與商用。      


            圖片來源:英諾賽科  


            英諾賽科是全球第一家率先采用8英寸晶圓的GaN器件制造商。   


            今年第一季度,英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量突破了5000萬顆,銷售額達(dá)1.5億,是去年同期的4倍。同時(shí),依靠8英寸硅基氮化鎵IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì),英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺(tái)也實(shí)現(xiàn)全面升級(jí), 40V雙向?qū)óa(chǎn)品、100V半橋驅(qū)動(dòng)合封產(chǎn)品等多系列產(chǎn)品相繼發(fā)布。  


            值得一提的是,國(guó)內(nèi)頭部車企已率先將英諾賽科氮化鎵用于車載激光雷達(dá)產(chǎn)品上,且已經(jīng)量產(chǎn)。  

            華潤(rùn)微方面,GaN 600V/900V系列化產(chǎn)品均已發(fā)布并推向市場(chǎng);而賽微電子也推出了數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品,并進(jìn)入小批量試產(chǎn)。  


            賽微電子也表示,公司將持續(xù)布局GaN產(chǎn)業(yè)鏈,以參股方式建設(shè)GaN芯片制造產(chǎn)線,積極推動(dòng)技術(shù)、工藝、產(chǎn)品積累,以滿足下一代功率與微波電子芯片對(duì)于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性GaN外延材料以及GaN芯片的需求。  


            接下來,隨著GaN國(guó)產(chǎn)化水平不斷提升,誰能真正換道超車并在新能源汽車市場(chǎng)搶占一席之地,將成為市場(chǎng)的一個(gè)新看點(diǎn)。


            (中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/長(zhǎng)安)

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