中國粉體網(wǎng)訊 她雖出身名門望族，卻用絕食爭取上學的機會；她放棄優(yōu)越條件，力破重重阻撓回國；她苦心鉆研，帶領我國拉制成功第一根鍺單晶和第一根硅單晶，使中國成為世界上第三個生產(chǎn)出硅單晶的國家；她開拓創(chuàng)新，開創(chuàng)了我國微重力半導體材料科學研究新領域，并在砷化鎵晶體太空生長和性質(zhì)研究方面取得了令世人矚目的成績……她，就是林蘭英院士。
在她 85 年的生命歷程中，她抗爭過，失敗過，成功過，遺憾過…… 她將她的一生奉獻給了她敬愛的祖國和鐘愛的半導體科學事業(yè)。
林蘭英院士簡介
來源：學習時報
林蘭英，福建省莆田市人，半導體材料科學家、物理學家，中國科學院院士。1940年從福建協(xié)和大學（福建師范大學前身）物理系畢業(yè)后留校任教；1948年赴美留學，1955年獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位。她于1957年沖破重重阻礙，帶著半導體新材料回到中國�；貒�，長期從事半導體材料科學研究工作，是我國半導體科學事業(yè)開拓者之一。先后負責研制成我國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學的發(fā)展奠定了基礎。
靠絕食爭來讀書的機會
她是賓夕法尼亞大學第一位女博士
林蘭英出生在福建莆田，祖上林潤是明嘉靖年間的御史大夫，林家在當?shù)厥呛苡忻拇笞�。然而，作為林家的女兒，她卻并不被長輩待見。人們受“女子無才便是德”的封建觀念影響，認為女子只需學會煮飯、燒茶、做家務就行了。
滿了 6歲，林蘭英就吵著要上學，守舊的母親卻不允許。性格倔強的林蘭英軟磨硬纏，甚至兩三天不吃不喝，母親拗不過她，只得答應她的要求，但是前提是家務活一件不能落下，還要考第一名，否則，就死了這條心。
讓母親意外的是，林蘭英真的拿回了第一名的獎狀，并且在讀書獲獎這條路上，一發(fā)不可收拾。1936年，18歲的林蘭英考入福建協(xié)和大學學數(shù)學，后來又因為成績優(yōu)秀被留校任教。期間，很多媒人上門提親，但都被她委婉拒絕了。林蘭英認為她的青春應該做一些有意義的事情。30歲那年，她又考入美國賓夕法尼亞大學，令人沒想到的是，她并沒有選擇一直熱愛的數(shù)學專業(yè)，當時，蓬勃興起的固體物理正在悄然改變著世界。懷著“一切都應該服從祖國建設事業(yè)的迫切需要”的想法，林蘭英果斷地選擇改學固體物理專業(yè)。
同年秋，林蘭英進入賓夕法尼亞大學研究生院，開始了固體物理專業(yè)的研究。1951年，她獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位，之后繼續(xù)攻讀博士學位，師從米勒教授。1955年6月，憑借博士論文《離子晶體缺陷的研究》獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位，是該校建校以來，第一位獲得博士學位的中國人，也是該校有史以來的第一位女博士。
因一句“祖國需要你”
她放棄優(yōu)渥條件，力排阻撓回國
1955年，完成博士學業(yè)的林蘭英因美國政府的施壓，暫時無法回國。美國的半導體科學正在蓬勃發(fā)展，為了將實踐和理論相結(jié)合，深度接觸半導體材料研究的前沿領域，學習實用技術，為回國工作打下牢固的基礎，林蘭英來到美國著名的索菲尼亞公司擔任高級工程師，專注于半導體材料研究。當時該公司正在依據(jù)美國科學家研究的方法和工序拉制硅單晶并屢遭挫折，林蘭英經(jīng)過觀察和研究，不僅找出了失敗的癥結(jié)，而且提出了改進操作規(guī)程和設備的建議，最終使得拉制硅單晶的任務圓滿完成。隨后她據(jù)此發(fā)表的有關論文還被美國當局列為專利技術。在索菲尼亞公司任職的一年多時間里，林蘭英開闊了眼界、增長了學識，深受公司的賞識。
在美國，林蘭英有著良好的工作環(huán)境，倍受公司器重，有著優(yōu)越的研究條件和誘人的高薪，但“梁園雖好，終非久居之地”，林蘭英始終惦記著自己的祖國。
當時，美國政府設置各種障礙，阻礙中國留學生歸國。1956年召開日內(nèi)瓦會議，中美終于達成協(xié)議：中國留美學生可以自由回國。得知這一消息的林蘭英，立即申請回國。公司為了挽留她，以高薪為誘餌，但她不為所動。面對聯(lián)邦調(diào)查局的數(shù)次刁難，她態(tài)度堅決。后來，聯(lián)邦調(diào)查局竟然對臨行時的她實行搜身，扣押了她一張6800美元的旅行支票。這張被無理扣押的支票，一直到1980年才被索回。
自力更生搞研究
她為祖國奉獻畢生精力
1957年春天，林蘭英回到了闊別數(shù)載的祖國，并馬上開展半導體研究。當時，我國的半導體事業(yè)十分落后，單晶硅計劃在1968年開始進行。外國專家也預測，中國要到60年代才能著手單晶材料的研制。然而林蘭英說：“我們中華兒女，要有民族自尊心，要有自力更生的精神。我們中國的科學，只有敢于走自己的路，勇于向前沖，沖到別人前頭，才可以說進入科學的前沿�！痹诹痔m英的帶領下，我國于1957年拉制成功第一根鍺單晶，于1958年拉制成功第一根硅單晶，中國也成為世界上第三個生產(chǎn)出硅單晶的國家。
之后，林蘭英又把更先進的砷化鎵單晶的拉制提上日程。砷化鎵單晶可以用于微電子領域和光電子領域，這是硅單晶所不具備的。1962年10月，林蘭英拉制出的砷化鎵單晶的電子遷移率被鑒定為達到當時世界上的最高水平。
林蘭英傾心于國家興旺、科技發(fā)展、團隊的壯大、競爭力的發(fā)揮，她用一顆赤膽忠心，鑄就了她無私無畏、坦誠直言的品質(zhì)。從事半導體材料科學40余年，把畢生的精力獻給了我國的半導體材料科學事業(yè)，成為我國半導體材料科學的奠基人和開拓者。在她的不懈努力和推動下，我國半導體材料科學技術研究與開發(fā)工作取得了令世人矚目的成就。她的精神、她的身影、她的音容，始終鼓舞著后人立志奮發(fā)、無私奉獻......
參考來源：
學習時報.林蘭英：被稱為中國半導體材料之母
科學精神·求實篇.弘揚科學家精神 | 林蘭英：一往無前 專注半導體研究
中國科學報.追記林蘭英院士：那盞永恒的明燈
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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