中國粉體網(wǎng)訊  以太陽能利用為目的的光伏能源具有清潔、環(huán)保、可再生等特點(diǎn)，成為我國大力發(fā)展的新能源和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。光伏產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)產(chǎn)品有晶體硅太陽能電池等，其中單晶硅電池更是憑借著高轉(zhuǎn)換率和高穩(wěn)定性占據(jù)重要地位。

目前，單晶硅采用多晶硅為原料和直拉法生產(chǎn)工藝。在單晶硅生產(chǎn)中，石英坩堝是一次性使用的熔硅和晶體生長的關(guān)鍵材料，對(duì)單晶硅的生產(chǎn)成本和產(chǎn)品質(zhì)量都有直接重要的影響。

石英坩堝主要用于單晶硅拉制

來源：歐晶科技招股說明書、德邦研究所

石英坩堝在直拉單晶硅生長中的作用

石英坩堝是直拉單晶爐的關(guān)鍵部件。單晶制備階段決定了硅材料的直徑、晶向、摻雜導(dǎo)電類型、電阻率范圍及分布、氧碳濃度、少子壽命、晶格缺陷等技術(shù)參數(shù)，要求微缺陷、氧濃度、金屬雜質(zhì)、載流子濃度均勻性等都需要控制在一定范圍內(nèi)。 在直拉單晶工藝中，石英坩堝需要承受高于硅熔點(diǎn)（1420℃）的高溫。石英坩堝多為半透明狀，有多層結(jié)構(gòu)復(fù)合而成，外層是高氣泡密度的區(qū)域，稱為氣泡復(fù)合層；內(nèi)層是一層3-5mm的透明層，稱為氣泡空乏層。氣泡空乏層的存在使坩堝與溶液接觸區(qū)的密度降低，從而改善單晶生長的成功。

從質(zhì)量方面看，石英坩堝內(nèi)層由于與硅液直接接觸，在拉晶過程中不斷向硅液中溶解，并且坩堝透明層微氣泡不斷長大至破裂將向硅液中釋放石英顆粒和微氣泡，這些雜質(zhì)又以微顆粒和微氣泡的形式伴隨硅液流遍整個(gè)硅熔體，直接影響到硅的成晶和單晶的質(zhì)量。

從成本方面看，石英坩堝在單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈中具備較強(qiáng)的消耗品屬性特征，連續(xù)直拉法的運(yùn)用也對(duì)石英坩堝的壽命提出了更高的要求。石英坩堝的高純和高耐溫耐久性為單晶拉制以及單晶品質(zhì)提供了保障�；�于單晶硅片純度的要求，石英坩堝一次或幾次加熱拉晶完成后即報(bào)廢，需要定期更換，屬于消耗性器皿。另外，在拉晶環(huán)節(jié)，倘若石英坩堝出現(xiàn)質(zhì)量問題，會(huì)造成單根單晶硅棒報(bào)廢。

直拉單晶硅對(duì)石英坩堝品質(zhì)的要求

石英坩堝直接與硅液接觸，若其生產(chǎn)過程中未能有效控制雜質(zhì)、氣泡，易影響拉晶質(zhì)量，甚至導(dǎo)致拉晶失敗、投料報(bào)廢，由于單晶硅片對(duì)純度要求高、且單次拉晶成本較高，因此對(duì)石英坩堝在純度、氣泡表現(xiàn)、品質(zhì)穩(wěn)定性方面具有較高的要求：

雜質(zhì)：雜質(zhì)會(huì)對(duì)單晶性能和成品率造成直接影響，因此與硅熔體直接接觸的石英坩堝的雜質(zhì)含量至關(guān)重要。坩堝雜質(zhì)過高往往會(huì)帶來石英坩堝析晶（雜質(zhì)離子局部集聚后導(dǎo)致粘度降低），如果析晶靠近內(nèi)表面，局部的析晶殼層過厚則極易脫落，導(dǎo)致單晶拉制無法繼續(xù)；如果外壁形成較厚的析晶，極易發(fā)生底部或者弧度的鼓包現(xiàn)象；如果析晶貫穿坩堝本體，容易引起漏硅等一系列嚴(yán)重后果。

石英坩堝中的雜質(zhì)引發(fā)析晶

來源：歐晶科技官網(wǎng)，東方財(cái)富證券研究所

氣泡：高純石英砂本身含有氣液包裹體，拉晶過程中與硅液接觸的坩堝內(nèi)表面不斷向硅液中熔解，伴隨著透明層中的微氣泡不斷長大，靠近最內(nèi)表面的氣泡破裂，硅液釋放石英微顆粒以及微氣泡，其中的雜質(zhì)會(huì)以微顆粒以及微氣泡的形式伴隨著硅液流遍整個(gè)硅熔體，直接影響到硅的成晶（整棒率、成晶率、加熱時(shí)間、直接加工成本等）以及單晶硅的質(zhì)量（穿孔片、黑芯片等）。

石英坩堝內(nèi)表面氣泡含量影響硅成晶

來源：歐晶科技、東方財(cái)富證券研究所

石英砂對(duì)石英坩堝品質(zhì)的影響

石英坩堝主要使用電弧法生產(chǎn)，核心原材料為高純石英砂，石英砂的純度是影響石英坩堝品質(zhì)的重要因素。石英坩堝分為內(nèi)外兩層結(jié)構(gòu)，外層是高密度區(qū)域，稱為氣泡復(fù)合層；內(nèi)層是3-5mm的透明層，稱為氣泡空乏層，內(nèi)層，即氣泡空乏層的存在使坩堝與溶液接觸區(qū)的氣泡密度降低。石英砂純度越低，在高溫熔制過程中越容易產(chǎn)生黑點(diǎn)氣泡。用作內(nèi)層砂時(shí)，長時(shí)間處于高溫環(huán)境下會(huì)使石英坩堝內(nèi)壁所含氣泡受熱釋放，從而影響到單晶硅片生產(chǎn)的穩(wěn)定性和成功率。因此內(nèi)層砂對(duì)石英砂的純度要求更高，價(jià)格也更高。此外，坩堝用石英砂對(duì)不同雜質(zhì)含量都存在要求，如堿金屬雜質(zhì)含量過高會(huì)促使坩堝析晶，使坩堝失透和變形，羥基含量過高會(huì)導(dǎo)致坩堝鼓包等。

石英坩堝對(duì)高純石英砂純度要求

來源：王向東.光伏直拉單晶對(duì)于石英坩堝及石英砂的產(chǎn)業(yè)化需求、東亞前海證券研究所

礦源直接影響高純石英砂的產(chǎn)品質(zhì)量，海外石英砂企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃較少。美國西比科、挪威TQC基本依賴美國的斯普魯斯派恩礦床，該礦床屬于花崗偉晶巖（白崗巖），具有儲(chǔ)量大、雜質(zhì)少、氣泡表現(xiàn)好、礦石品質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，但石英含量較低，開采時(shí)會(huì)伴隨產(chǎn)生大量其他副產(chǎn)品，考慮開采經(jīng)濟(jì)性，海外企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)意愿較低。石英股份等國內(nèi)企業(yè)使用印度等地的脈石英礦源，品質(zhì)穩(wěn)定性略差，在雜質(zhì)含量、穩(wěn)定性等方面尚與進(jìn)口產(chǎn)品有一定差異，目前大部分國產(chǎn)砂僅可用于坩堝外層，僅石英股份的部分產(chǎn)品可用于坩堝中內(nèi)層。由于高品質(zhì)原礦資源稀缺、海外高純石英砂行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)積極性不足，高品質(zhì)內(nèi)層砂的供應(yīng)或?qū)⒚媾R更加嚴(yán)重的供給缺口。

小結(jié)

石英坩堝產(chǎn)品質(zhì)量直接影響直拉單晶硅的品質(zhì)和成本，而拉晶工藝升級(jí)則對(duì)石英坩堝純度、壽命和尺寸提出了更高地要求，進(jìn)一步激發(fā)高端石英坩堝需求。石英砂作為制作石英坩堝的核心原料，其品質(zhì)水平及成本等級(jí)很大程度上決定了石英坩堝的性能及成本，因此，需要從石英礦源篩選、加工等多個(gè)方面對(duì)高純石英砂品質(zhì)進(jìn)行提升，從而提高石英坩堝的品質(zhì)，以滿足其在光伏直拉單晶制造中的需求。

參考來源：

張大虎等.單晶硅生長用石英坩堝的組成與結(jié)構(gòu)特征

石星宇等.連續(xù)拉晶下石英坩堝內(nèi)氣泡變化規(guī)律及晶棒的性能研究

王向東.光伏產(chǎn)業(yè)概況及直拉單晶石英制品的需求

王向東.光伏直拉單晶對(duì)石英坩堝與石英砂的產(chǎn)業(yè)化需求

國金證券.歐晶科技.石英坩堝龍頭，技術(shù)領(lǐng)先+供應(yīng)保障助力成長

東方財(cái)富證券.歐晶科技.高端石英坩堝龍頭，十年一劍成長可期

東亞前海證券.石英股份.領(lǐng)跑高端石英領(lǐng)域，量價(jià)齊升邁入新階

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）

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