中國(guó)粉體網(wǎng)訊
2022年8月25日，由中國(guó)粉體網(wǎng)旗下粉體公開(kāi)課平臺(tái)主辦的“第三代半導(dǎo)體材料研究及測(cè)試分析網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)”成功舉辦！本屆研討會(huì)旨在為第三代半導(dǎo)體從業(yè)者、檢測(cè)人員和專(zhuān)家學(xué)者提供一個(gè)交流的空間，來(lái)自武漢大學(xué)的周圣軍教授、合肥工業(yè)大學(xué)鄧二平教授及南京工程學(xué)院邵偉華博士分享了精彩的報(bào)告。
武漢大學(xué)的周圣軍教授作題為《GaN基LED外延外延生長(zhǎng)和芯片制造技術(shù)》報(bào)告
周圣軍教授圍繞提升LED芯片外量子效率展開(kāi)了詳細(xì)報(bào)告。在襯底方面，采用光刻膠熱回流和電感耦合等離子體技術(shù)相結(jié)合，制備出藍(lán)寶石圖形襯底，可顯著提升LED芯片的內(nèi)量子效率和光提取效率。
新型SiO2圖形襯底可以有效抑制AlGaN在圖形襯底的側(cè)壁生長(zhǎng)，降低外延層缺陷密度，提高紫外LED輻射復(fù)合效率。同時(shí)還可以提高紫外LED芯片的光提取效率，與藍(lán)寶石圖形襯底相比，采用SiO2圖形襯底的紫外LED芯片頂部和底部的光提取效率分別提升了17%和10.7%。
此外，周圣軍教授表示還可以通過(guò)激光直寫(xiě)技術(shù)制備金屬線(xiàn)網(wǎng)格透明導(dǎo)電電極，來(lái)提升紫外LED芯片外量子效率。
最后，周圣軍教授講解了通過(guò)一系列的表面粗化工藝來(lái)提高光提取效率以及通過(guò)三維倒裝結(jié)構(gòu)來(lái)提升LED芯片的光學(xué)性能。
南京工程學(xué)院邵偉華博士作《碳化硅器件的動(dòng)態(tài)性能表征》
碳化硅功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。碳化硅功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。對(duì)此，邵偉華博士進(jìn)行了詳細(xì)的闡述。
首先，邵偉華博士在場(chǎng)強(qiáng)、能隙、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、飽和漂移速度等方面對(duì)硅和碳化硅做了全面的對(duì)比，對(duì)比結(jié)果表明，碳化硅相比于硅更適合制造高壓、高頻、高溫大功率器件。但是，碳化硅材料也不是完美的，其仍有易引起EMI問(wèn)題、對(duì)寄生參數(shù)敏感、對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求高、成本高昂等問(wèn)題。
接著，邵偉華博士介紹了器件表征分類(lèi)及其功能，具體分為靜態(tài)特性表征和動(dòng)態(tài)特性特征。
在本報(bào)告中，邵偉華博士就如何準(zhǔn)確的進(jìn)行雙脈沖測(cè)試進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。首先要求測(cè)試設(shè)備帶寬高于被測(cè)材料帶寬，邵偉華博士根據(jù)自己的研究經(jīng)驗(yàn)總結(jié)一般選用帶寬500MHz以上示波器。其次，在電壓探頭的選擇和使用方面，我們了解到高精度電流探頭、皮爾森電流互感器、羅氏線(xiàn)圈、同軸電阻等不同分類(lèi)及使用情況。同時(shí)，對(duì)電壓電流探頭進(jìn)行校準(zhǔn)也是一項(xiàng)必不可少的工作，以減少儀器測(cè)量帶來(lái)的誤差。
合肥工業(yè)大學(xué)鄧二平教授作《SiC MOSFET多應(yīng)力可靠性測(cè)試方法和評(píng)估》
首先，鄧二平教授對(duì)SiC MOSFET器件可靠性測(cè)試和評(píng)估工作的背景進(jìn)行了介紹。隨著研究的深入，濕度相關(guān)失效逐漸引起了重視，約占功率器件失效的20%，尤其是在光伏、海上風(fēng)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶(hù)外工礦更受關(guān)注。在光伏領(lǐng)域，晶硅組件模塊有1740項(xiàng)可靠性考核，與濕度相關(guān)考核占27%；薄膜組件模塊有370項(xiàng)可靠性考核，與濕度相關(guān)考核占28%。其中溫度—濕度耦合是一大失效原因。
在報(bào)告中，鄧二平教授針對(duì)SiC MOSFET器件可靠性測(cè)試評(píng)估方法、測(cè)試難點(diǎn)、失效機(jī)理等進(jìn)行了詳細(xì)闡述。
