中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日，第十六屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨蘇州第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇在蘇州工業(yè)園區(qū)盛大開幕。

大會(huì)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、元器件封裝技術(shù)創(chuàng)新中心、河北省新型半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、河北普興電子科技股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所共同承辦。經(jīng)前期調(diào)研論證，蘇州工業(yè)園、無(wú)錫（國(guó)家）集成電路設(shè)計(jì)中心等十家產(chǎn)業(yè)園區(qū)入圍了“2022年第三代半導(dǎo)體最具競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)業(yè)園區(qū)”。

第三代半導(dǎo)體材料是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等帶隙寬度明顯大于硅（Si，1.1~1.3 V）和砷化鎵（GaAs，1.4 V）的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，以寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)制備的電子器件是支撐下一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)、國(guó)防軍工等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵核心器件。

第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和新的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，也是國(guó)外對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖的重點(diǎn)領(lǐng)域。當(dāng)前國(guó)際第三代半導(dǎo)體材料、器件實(shí)現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的成功跨越，已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段，在新能源汽車、高速列車、5G通信、光伏并網(wǎng)、消費(fèi)類電子等多個(gè)重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了突破，未來(lái) 5 年將是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期，全球資本加速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體材料、器件領(lǐng)域，產(chǎn)能大幅度提升，企業(yè)并購(gòu)頻發(fā)，正處于產(chǎn)業(yè)爆發(fā)前的“搶跑”階段。中國(guó)在市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域有戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)，正在形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈條，國(guó)際巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的完全壟斷，有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領(lǐng)，重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

參考來(lái)源：

[1] 入圍！無(wú)錫（國(guó)家）集成電路設(shè)計(jì)中心再獲殊榮.蠡園之聲

[2] 吳玲等.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與趨勢(shì)展望