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            福州高意碳化硅襯底開始規(guī)模量產(chǎn),預計年產(chǎn)10萬片,產(chǎn)值可達5億元


            來源:中國粉體網(wǎng)   山川

            [導讀]  福州高意碳化硅襯底開始規(guī)模量產(chǎn),預計年產(chǎn)10萬片,產(chǎn)值可達5億元。

            中國粉體網(wǎng)訊  日前,位于晉安湖“三創(chuàng)園”的福州高意首條第三代半導體碳化硅晶圓基片生產(chǎn)線進入規(guī)模量產(chǎn),預計年產(chǎn)10萬片,產(chǎn)值可達5億元。該條碳化硅生產(chǎn)線量產(chǎn)后,第二條、第三條生產(chǎn)線也在加快建設,到明年底,福州高意碳化硅基片產(chǎn)能有望突破50萬片,產(chǎn)值達30億元。


             

            高意生產(chǎn)線,來源:今日晉安


            據(jù)了解,高意是由II-VI公司所組建的光電業(yè)務集團,其總部位于中國福州市,也是II-VI公司的亞洲及中國總部所在地。II-VI公司總部位于美國賓夕法尼亞州的薩克森堡,是全球領先的工程材料和光電器件制造商,為工業(yè)、光通訊、生命科學、半導體設備和消費電子等領域提供解決方案及相應產(chǎn)品。


            以碳和硅組成的化合物半導體碳化硅為材料制作的功率半導體器件,因其所具備的優(yōu)異性能與先進性,多年來一直作為“理想的元器件”而備受矚目。SiC功率元器件現(xiàn)已逐漸成為我們現(xiàn)代日常生活中所普遍使用的“身邊的”元器件。從技術的角度來說,與硅基功率器件制作工藝不同,碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上,需要在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,所以對碳化硅功率器件來說,其上游襯底及外延制造是產(chǎn)業(yè)鏈上的兩大關鍵環(huán)節(jié)。


            縱觀整個碳化硅襯底產(chǎn)業(yè),美國占主導地位,Wolfspeed公司、II-VI公司占據(jù)了全球大部分市場份額,Wolfspeed公司占據(jù)領跑者的位置,最新消息顯示,其位于美國紐約州莫霍克谷的全球最大的8英寸碳化硅(SiC)制造工廠將于美國東部時間4月25日迎來盛大開業(yè)。II-VI公司排在全球第二,能夠提供 4 至 6 英寸導電型和半絕緣型晶片,并已成功研制 8 英寸導電型碳化硅晶片。同時,II-VI還是一家全球領先的代工廠,在直徑為2英寸至6英寸的晶圓上生產(chǎn)高性能外延材料,用于關鍵的光子和射頻半導體元件。


             

            圖片來源:II-VI官網(wǎng)


            2021年以來,高意加快了在中國擴產(chǎn)的步伐,以服務于全球最大的電動汽車(EV)和清潔能源應用市場。2021年4月15日,II-VI福州總部正式建立了用于SiC導電襯底的后段加工線。高意位于福州的新SiC工廠進行的后端SiC晶圓加工包括邊緣研磨、化學機械拋光、清洗和檢測,所有加工都在100級和1000級潔凈室進行。該工廠是高意已經(jīng)宣布的計劃的一部分,該計劃將在5年內(nèi)將其SiC基板的生產(chǎn)能力提高5到10倍,包括直徑200毫米的基板。


            (中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)

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            推薦23

            作者:山川

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