中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)昭和電工官網(wǎng)消息，公司已開始大規(guī)模生產(chǎn)直徑為6英寸（150毫米）的碳化硅單晶片，用作SiC外延晶片的襯底材料，以加工并安裝到SiC基功率半導(dǎo)體（SiC功率半導(dǎo)體）中。

圖片來源：昭和電工官網(wǎng)

碳化硅是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表，具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電力電子與射頻等下游。碳化硅材料相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導(dǎo)系數(shù)高和熔點(diǎn)高等優(yōu)勢，可有效突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限，作為襯底開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏及射頻領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需要先在襯底上生長氮化鎵或碳化硅外延層，得到外延片，再在外延片上制作適用于射頻或電子電力領(lǐng)域的器件。

昭和電工作為SiC外延片的獨(dú)立供應(yīng)商，一直為功率器件制造商提供一流的SiC外延片，在全球市場占有率較高。昭和電工從2012年至2019年，先后6次擴(kuò)大碳化硅外延片產(chǎn)能。2012年9月，昭和電工將4英寸碳化硅外延片的產(chǎn)能提高了2.5倍，達(dá)到每月1500片，并宣布將加快6英寸碳化硅外延片的開發(fā)。2016年6月，昭和電工繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅外延片產(chǎn)能，并開始批量生產(chǎn)HGE（High Grade Epitaxy），月產(chǎn)3000片。2017年9月和2018年1月，昭和電工又進(jìn)行了兩次擴(kuò)產(chǎn)。2018年7月，昭和電工進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)能，將HGE產(chǎn)能從每月5000片增加到每月7000片。2019年2月，昭和電工又將碳化硅外延片產(chǎn)能增加到每月9000片。去年9月，昭和電工宣布與ROHM簽訂了功率半導(dǎo)體用SiC外延片的多年長期供應(yīng)合同。

圖片來源：昭和電工官網(wǎng)

在襯底方面，昭和電工一直在考慮自主生產(chǎn)SiC單晶片。2010年至2015年，作為“未來電力電子技術(shù)研發(fā)合作伙伴關(guān)系”的成員，昭和電工參與了由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)部和新能源與工業(yè)技術(shù)發(fā)展組織（NEDO）主辦和委托的“新型半導(dǎo)體電力電子項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)低碳排放”。此外，2018年，昭和電工接管了新日鐵住友金屬集團(tuán)（當(dāng)前的新日鐵集團(tuán)）的SiC晶圓相關(guān)資產(chǎn)，并從那時起一直在開發(fā)大規(guī)模生產(chǎn)SiC晶圓的技術(shù)。

這一次，昭和電工決定啟動6英寸SiC晶片的內(nèi)部批量生產(chǎn)。據(jù)其稱，目前多家客戶采用了由他們內(nèi)部生產(chǎn)的6英寸SiC晶片制成的SiC外延晶片。另一方面，昭和電工將繼續(xù)從其合作伙伴處購買SiC晶片，以應(yīng)對電力半導(dǎo)體對SiC外延晶片的快速增長需求。因此，昭和電工將使SiC晶片的來源多樣化，從而為SiC外延晶片建立穩(wěn)定的供應(yīng)鏈。

參考來源：昭和電工官網(wǎng)、中金研究

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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