中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2022年3月11日，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國(guó)）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）管理委員會(huì)審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細(xì)則》，上述團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)通過(guò)，分配編號(hào)為：CASA 024。

近 20 多年來(lái)，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC 材料具有 3 倍于硅材料的禁帶寬度，10 倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3 倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此 SiC 功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合。

其中SiC MOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開(kāi)關(guān)器件，具有高開(kāi)關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiC MOSFET 是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過(guò)程不存在拖尾電流，降低了開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)而減小散熱器體積；并且其開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感和電容的體積，提高裝置的功率密度，有效降低裝置的系統(tǒng)成本。

MOSFET 器件結(jié)構(gòu)示意圖

國(guó)際上多家企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn) SiCMOSFET 器件的商業(yè)化，并已逐步推出溝槽型 SiC MOSFET 器件。而國(guó)內(nèi)的 SiC MOSFET 器件基本采用平面柵 MOSFET 結(jié)構(gòu)，研發(fā)進(jìn)度相對(duì)落后，工藝技術(shù)的不成熟與器件可靠性是國(guó)內(nèi) SiC MOSFET器件的主要問(wèn)題。

《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法，評(píng)價(jià)器件在承受規(guī)定動(dòng)態(tài)柵極應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復(fù)承受柵極正偏壓和柵極負(fù)偏壓，以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化，從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。

江蘇宏微科技股份有限公司自設(shè)立以來(lái)一直從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。公司曾榮獲“新型電力半導(dǎo)體器件領(lǐng)軍企業(yè)”、“蘇南國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)瞪羚企業(yè)”、“PSIC2019中國(guó)新能源汽車用IGBT最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)稱號(hào)”和“中國(guó)電氣節(jié)能30年杰出貢獻(xiàn)企業(yè)”等榮譽(yù)稱號(hào)。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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