中國粉體網(wǎng)訊  3月7日，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，目前公司已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、粉料合成、晶體生長(zhǎng)、襯底加工等各類核心技術(shù)。其中碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)制造技術(shù)等，公司已形成相關(guān)專利，具備設(shè)計(jì)不同尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐能力。

來源:天岳先進(jìn)招股說明書

碳化硅長(zhǎng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對(duì)不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(zhǎng)晶爐需要實(shí)現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項(xiàng)性能指標(biāo)，為高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現(xiàn)條件。

據(jù)天岳先進(jìn)的招股說明書顯示，天岳先進(jìn)的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備采用真空系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和材料設(shè)計(jì)，可在保持極高真空度的同時(shí)保持極低的高溫真空漏率，保證了高純碳化硅粉料和碳化硅單晶生長(zhǎng)腔室的純度。此外，公司對(duì)設(shè)備自動(dòng)化程度進(jìn)行不斷提升，與晶體生長(zhǎng)控制軟件系統(tǒng)結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)前的上料、封爐自動(dòng)化控制，并可實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過程中的爐溫、真空度、氣體流量等全參數(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)控，保證了晶體生長(zhǎng)過程的穩(wěn)定性和可控性。

碳化硅單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)是碳化硅單晶生長(zhǎng)的核心，決定了單晶生長(zhǎng)中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場(chǎng)等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場(chǎng)的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場(chǎng)內(nèi)生長(zhǎng)的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力，同時(shí)具備合理可控的生長(zhǎng)速率。公司的熱場(chǎng)仿真模擬團(tuán)隊(duì)，利用專業(yè)碳化硅熱場(chǎng)仿真軟件進(jìn)行熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，可針對(duì)不同類型、不同尺寸的碳化硅單晶進(jìn)行精確的熱場(chǎng)仿真、模擬和設(shè)計(jì)，從而滿足不同尺寸、不同類型晶體的生長(zhǎng)技術(shù)需求。

參考來源：同花順金融研究中心、天岳先進(jìn)招股說明書

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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