中國粉體網(wǎng)訊  鑒于臺(tái)基股份2020年年報(bào)和2021年半年報(bào)都提到持續(xù)跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用，有投資者提問其公司或控股公司是否有資金投入到SiC、GaN等第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。臺(tái)基股份回答表示，公司根據(jù)研發(fā)項(xiàng)目計(jì)劃安排和實(shí)際需求進(jìn)行投入，公司跟蹤和研發(fā)以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)，尚未形成產(chǎn)品。

臺(tái)基股份主營(yíng)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造、銷售及服務(wù)，主要產(chǎn)品為大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊、固態(tài)脈沖功率開關(guān)等功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電氣控制系統(tǒng)和工業(yè)電源設(shè)備，包括冶金鑄造、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電機(jī)節(jié)能、大功率電源、輸變配電、軌道交通、新能源等行業(yè)和領(lǐng)域。

過去幾十年，“摩爾定律”一直引領(lǐng)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但隨著半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到今天，每前進(jìn)一代，工藝技術(shù)的復(fù)雜程度呈指數(shù)級(jí)上升。就半導(dǎo)體材料而言，隨著第一、二代半導(dǎo)體材料工藝已經(jīng)接近物理極限，其技術(shù)研發(fā)費(fèi)用劇增、制造節(jié)點(diǎn)的更新難度越來越大，從經(jīng)濟(jì)效益來看，“摩爾定律”正在逐漸失效。半導(dǎo)體業(yè)界紛紛在新型材料和器件上尋求突破，TSMC、Intel和Samsung等半導(dǎo)體大廠開始尋找新的方法來延續(xù)高速成長(zhǎng)，“超越摩爾定律”的時(shí)代已經(jīng)到來。以新原理、新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝為特征的“超越摩爾定律”為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來了新的機(jī)遇，而第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展方向。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn)，更加適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。

臺(tái)基股份在半年報(bào)中顯示，公司作為功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)的重要企業(yè)，將抓住機(jī)遇擴(kuò)大晶閘管、整流管、IGBT、電力電子模塊等產(chǎn)品銷量和市場(chǎng)占用率，跟蹤和研發(fā)以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)，通過持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

參考來源：

中國電子報(bào)、湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司2021 年半年度報(bào)告 

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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