中國粉體網(wǎng)訊 氮化鋁陶瓷確實(shí)是個(gè)好材料,它憑借高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)、高電阻、低密度、熱化學(xué)穩(wěn)定性好、機(jī)械性能良好、無毒等優(yōu)點(diǎn),在航空航天、大規(guī)模集成電路等重要領(lǐng)域的應(yīng)用有著巨大的優(yōu)勢。
其中高熱導(dǎo)率是氮化鋁陶瓷的“招牌”,AlN陶瓷理論導(dǎo)熱率高達(dá)320W·m-1·K-1,而在實(shí)際應(yīng)用中遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到理論導(dǎo)熱量數(shù)值。我們知道,氮化鋁屬于共價(jià)化合物,其熱傳導(dǎo)是依靠晶格振動來實(shí)現(xiàn)。晶格振動的能量是量子化的,熱傳導(dǎo)可以看作連續(xù)性的非諧振彈性波通過聲子或熱能與聲子相互作用的量子來傳播。氧與AlN有較強(qiáng)的親合力,它會固溶到AlN的點(diǎn)陣中,近而形成鋁空位。晶格呈現(xiàn)出非諧性,影響散射聲子,引發(fā)熱導(dǎo)率惡化。另外,AlN熔點(diǎn)大于2200℃,原子自擴(kuò)散系數(shù)小,難以致密燒結(jié),氣孔會降低聲子平均自由程。所以,盡管氮化鋁的理論熱導(dǎo)率較為理想,但由于雜質(zhì)和缺陷的存在使實(shí)際產(chǎn)品的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)達(dá)不到理論值。
因此,要想提高熱導(dǎo)率,兩個(gè)關(guān)鍵難題必須解決:一是降低氧雜質(zhì)原子的存在;二是實(shí)現(xiàn)致密燒結(jié)。
解決的主要辦法除了提高氮化鋁粉體純度以外,在燒結(jié)過程中也有兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)需要注意,那就是添加燒結(jié)助劑和選擇合適的燒結(jié)方式。
燒結(jié)方式的選擇
氮化鋁陶瓷常用的燒結(jié)技術(shù)有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)、微波燒結(jié)等。其中無壓燒結(jié)是陶瓷燒結(jié)中最簡單也是最常見的一種燒結(jié)方法,但它必須配合燒結(jié)助劑完成燒結(jié)過程。熱壓燒結(jié)有助于顆粒的接觸擴(kuò)散和流動傳質(zhì)過程的進(jìn)行,從而降低燒結(jié)溫度和氣孔率。放電等離子燒結(jié)體內(nèi)每個(gè)顆粒均勻的自身發(fā)熱使顆粒表面活化,因而具有很高的熱導(dǎo)率,可在短時(shí)間內(nèi)使燒結(jié)體致密化。微波燒結(jié)是一種新型、高效的燒結(jié)技術(shù),具有傳統(tǒng)燒結(jié)技術(shù)無可比擬的優(yōu)越性。不添加任何燒結(jié)助劑的微波燒結(jié)法被認(rèn)為是一條獲得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技術(shù)途徑。
添加助燒劑
燒結(jié)助劑為某些稀土金屬、堿土金屬和堿金屬等的化合物,例如:Y2O3、CaO、CaF2、Li2O等。在燒結(jié)體系引入燒結(jié)助劑后,一方面,它可與AlN粉末表面的氧化鋁反應(yīng),形成低熔物,產(chǎn)生液相,利用液相傳質(zhì)促進(jìn)燒結(jié),提高材料的致密度;另一方面,燒結(jié)助劑與氧雜質(zhì)反應(yīng),在晶界以Y-Al2O3和Ca-Al2O3化合物的形式析出,降低AlN晶格的氧含量,起到純化晶格的作用,從而提高AlN燒結(jié)體的熱導(dǎo)率。
1、燒結(jié)助劑的選擇原則
選擇AlN陶瓷燒結(jié)助劑應(yīng)遵循以下原則:
2、常用的低溫復(fù)合燒結(jié)助劑體系
(1)Y2O3-CaO體系
表:不同燒結(jié)助劑體系燒結(jié)的AlN陶瓷材料的物理性能
(2)Y2O3-CaO-Li2O系
(3)CaF2-Y2O3系
以CaF2-Y2O3為燒結(jié)助劑,會發(fā)生如下反應(yīng):
在燒結(jié)過程中,AlF3升華,Ca-N化合物以氣態(tài)的形式從AlN陶瓷排出。最終,晶界相以鋁酸鹽相為主。
研究表明,以CaF2-Y2O3做助燒劑,添加劑的總量一定(4wt%)的情況下,含3wt%的CaF2的AlN陶瓷具有最高的熱導(dǎo)率。
(4)CaF2-YF3系
YF3不引入氧,且比Y2O3有著較低的熔點(diǎn),因此可作為燒結(jié)助劑被使用。
CaF2-YF3體系中,(Ca,Y)F2固溶體在1200℃的低溫下形成,使得CaYAl3O7和CaYAlO4由于Y2O3的缺少而在1650℃仍然難以生成。
因此在高溫下,液態(tài)的(Ca,Y)F2和Ca-Al-O化合物在AlN顆粒之間流動與重新分布,使得其中的YF3有充足的機(jī)會與AlN顆粒表面的氧,從而有效地降低了AlN顆粒表面的氧含量,減少了高溫下AlN晶格中氧缺陷的形成。
參考來源:
[1]吳玉彪等.高導(dǎo)熱AlN陶瓷低溫?zé)Y(jié)助劑的研究現(xiàn)狀
[2]馬雪剛等.氮化鋁陶瓷燒結(jié)助劑研究進(jìn)展
[3]王超.低溫?zé)Y(jié)氮化鋁陶瓷燒結(jié)助劑的研究進(jìn)展
[4]張?jiān)?高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川)
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