中國(guó)粉體網(wǎng)訊  山東大學(xué)的晶體材料研究始于二十世紀(jì)五十年代末期，1964年成立了直屬于高教部的晶體生長(zhǎng)研究室，1978年經(jīng)教育部批準(zhǔn)正式成立山東大學(xué)晶體材料研究所。1984年獲準(zhǔn)在山東大學(xué)晶體材料研究所的基礎(chǔ)上建設(shè)山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，這是我國(guó)最早建設(shè)的實(shí)驗(yàn)室之一，1987年驗(yàn)收通過(guò)并正式對(duì)外開放，屬應(yīng)用基礎(chǔ)研究類國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。1998年在教育部主持下，晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與低維材料山東省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行整合，實(shí)驗(yàn)室得到了進(jìn)一步充實(shí)與加強(qiáng)。目前晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室已發(fā)展成為我國(guó)一個(gè)由材料學(xué)、凝聚態(tài)物理兩個(gè)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)學(xué)科和材料科學(xué)與工程、物理學(xué)、化學(xué)三個(gè)一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)支撐的高層次人才培養(yǎng)基地以及上、中、下游緊密銜接的科技成果輻射基地。實(shí)驗(yàn)室先后于1990年12月、1997年4月、2003年3月、2008年3月四次參加了由原國(guó)家計(jì)委、科技部委托自然科學(xué)基金委組織的材料領(lǐng)域國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)場(chǎng)評(píng)估，成績(jī)均為優(yōu)秀，2013獲得免評(píng)一次成績(jī)?nèi)詾閮?yōu)秀，得到了國(guó)家重點(diǎn)資助。

實(shí)驗(yàn)室任務(wù)

從事人工晶體及相關(guān)材料的組成、基團(tuán)、結(jié)構(gòu)和功能性質(zhì)之間關(guān)系的探索研究、設(shè)計(jì)和制備新的功能材料；重視材料制備基本過(guò)程的研究，改進(jìn)現(xiàn)有功能晶體及相關(guān)材料的特性，以制備和利用綜合性能優(yōu)越，有科學(xué)意義和實(shí)用價(jià)值的功能晶體及相關(guān)材料；開展功能晶體器件的設(shè)計(jì)、制備和應(yīng)用；逐步擴(kuò)展和功能晶體相關(guān)的各種新型功能材料的研究，發(fā)展以功能晶體為核心的功能材料科學(xué)技術(shù)新學(xué)科。

主要研究方向

（1）功能晶體材料及制備技術(shù)探索和研究

該方向研究工作包括激光晶體、非線性光學(xué)晶體、熱釋電晶體、激光自倍頻晶體、電光晶體、半導(dǎo)體晶體等多種新功能材料的探索，以及新的晶體生長(zhǎng)方法、生長(zhǎng)技術(shù)的研究。

（2）晶體物理性能及相關(guān)器件的研究

該研究方向包括功能晶體材料及其相關(guān)器件的光、電、聲、磁、力、熱等物理性能及其交互效應(yīng)、多功能復(fù)合效應(yīng)及晶體性能總體優(yōu)化的研究；功能晶體材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)、組成、缺陷及完整性對(duì)其性能的影響；功能晶體材料表面和界面特性研究以及晶體新功能效應(yīng)、新物理現(xiàn)象的探索和研究等。

（3）低維材料的制備及相關(guān)器件的研究

該研究方向包括采用MOCVD、射頻濺射等先進(jìn)材料制備方法制備低維功能晶體材料，涵蓋二維（薄膜）一維（纖維）和準(zhǔn)零維（微納米材料），并探索和制備相關(guān)原型器件。這一方向研究工作包含了半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜和有機(jī)薄膜材料，還包括了光波導(dǎo)材料，具有層狀結(jié)構(gòu)的合金或化合物型磁性材料，高溫氧化物連續(xù)纖維以及微米/納米材料等。

（4）晶體生長(zhǎng)過(guò)程和晶體材料基礎(chǔ)研究

該方向研究包括晶體生長(zhǎng)熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)、晶體生長(zhǎng)過(guò)程的實(shí)時(shí)觀測(cè)和計(jì)算機(jī)模擬等。通過(guò)高分辨電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、拉曼散射等現(xiàn)代儀器與相應(yīng)方法，研究晶體生長(zhǎng)中的微觀結(jié)構(gòu)（包括顯微結(jié)構(gòu)、納米結(jié)構(gòu)和原子結(jié)構(gòu)三個(gè)層次）、晶體生長(zhǎng)界面及物質(zhì)與能量輸運(yùn)過(guò)程、基元堆積與缺陷產(chǎn)生機(jī)制，發(fā)展實(shí)時(shí)觀察及理論模擬技術(shù)。該研究方向還包括對(duì)功能晶體和低維材料研究中具有共性的材料物理與化學(xué)基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題，如基元與功能的圖形設(shè)計(jì)、微觀結(jié)構(gòu)與宏觀性能關(guān)系的機(jī)理研究，以揭示功能材料內(nèi)在本質(zhì)與外部條件之間的規(guī)律性。

儀器設(shè)備

晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室晶體生長(zhǎng)方法齊全，結(jié)構(gòu)、性能表征與器件制作設(shè)備先進(jìn)；科研工作已由以前單純地跟蹤、模仿逐步發(fā)展到今天在材料設(shè)計(jì)、制備及相關(guān)技術(shù)等方面頗具創(chuàng)新能力，整體研究實(shí)力處于國(guó)際先進(jìn)水平。

資料來(lái)源：晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室