中國粉體網(wǎng)訊  低維納米材料由于在發(fā)光和電子輸運(yùn)等方面有著豐富的物理特性，得到了廣泛關(guān)注。日前，北京大學(xué)方哲宇、朱星課題組利用石墨烯量子點(diǎn)（GQDs）等離激元實(shí)現(xiàn)了對單層MoS2的高效電荷摻雜以及發(fā)光光譜的動態(tài)調(diào)控，相關(guān)成果近期發(fā)表于《先進(jìn)材料》。

　　單層danS2是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的光致熒光發(fā)光效率。GQD等離激元的電摻雜效應(yīng)可以調(diào)控單層MoS2中的激子和三激子復(fù)合發(fā)光。近期已有利用電致?lián)诫s、化學(xué)分子摻雜MoS2單層的報(bào)道，但仍存在摻雜不易調(diào)控、摻雜效率不高等問題，方哲宇等人創(chuàng)新性地制備了GQD/MoS2異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，利用石墨烯量子點(diǎn)的等離激元隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了一種新的高效光控界面摻雜，并通過拉曼光譜和熒光光譜對其進(jìn)行了表征和分析，發(fā)現(xiàn)摻雜可以對MoS2單層的谷偏振度進(jìn)行有效調(diào)控。

　　這項(xiàng)研究解釋了碳基量子點(diǎn)材料和二維材料界面電荷轉(zhuǎn)移過程，為新型低維異質(zhì)結(jié)材料在生物醫(yī)學(xué)傳感、微納電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了新思路。