氧化銦和氧化錫均具有優(yōu)良的物理化學(xué)性能, 將它們按不同比例混合可以制得電學(xué)性能優(yōu)異的n 型半導(dǎo)體材料。90%的氧化銦和10%的氧化錫復(fù)合即形成了銦錫復(fù)合氧化物ITO 粉體, 反之在氧化錫粉體中適量復(fù)合氧化銦又可以得到氣敏性能優(yōu)良的制備電子敏感元件的材料。通訊技術(shù)和顯示技術(shù)的飛速發(fā)展, 用于制備透明膜電極的銦錫氧化物ITO 粉體的需求量急劇增加。目前, 日本、美國、英國、法國等發(fā)達(dá)國家金屬銦的產(chǎn)量的一半用于制備銦錫氧化物ITO 粉體。

    本項(xiàng)目以高純金屬銦和高純金屬錫或高純銦和錫的無機(jī)鹽為原料, 利用水溶性高分子在溶液中形成復(fù)雜的高分子螯合網(wǎng)絡(luò)體系, 經(jīng)沉淀劑沉淀結(jié)合超臨界流體抽提制備高比表面積高活性的納米銦錫氧化物復(fù)合粉體。

    技術(shù)指標(biāo)

    顆粒粒度: 10-60nm; 比表面積: > 20m²/g; 純度:> 99. 99%

    應(yīng)用范圍

    用于制備ITO 靶材，然后經(jīng)直流磁控濺射將靶材制成ITO透明薄膜。這種薄膜具有可見光透明、強(qiáng)烈反射紅外光、膜電阻低的優(yōu)點(diǎn)，因而在液晶顯示、隔熱玻璃、太陽能電池和收集器、車輛窗口去霧防霜等方面具有日
益廣泛的應(yīng)用。

    改變銦氧化錫粉體的配比可用作制備氣敏性能優(yōu)良的敏感電子元件。

    效益分析

    隨著平板液晶顯示、隔熱玻璃、太陽能電池、車輛窗口去霧除霜、氣敏等技術(shù)的發(fā)展，用于制備透明ITO 薄膜電極的錫銦氧化物( ITO) 需要量急劇增加，具有廣闊的市場需求。

    以高純金屬銦和高純金屬錫或高純銦和錫的無機(jī)鹽為原料，主要設(shè)備是反應(yīng)釜等。若生產(chǎn)規(guī)模為100t/年，主要設(shè)備投資約200萬元, 廠房面積需1000m²。具有一定的經(jīng)濟(jì)效益。

    單位：北京化工大學(xué)科技園科技發(fā)展中心
    地址：北京化工大廈511 室
    郵編：100029
    電話：(010) 64435482 64435054