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            硅基500um石墨烯單晶
            硅基500um石墨烯單晶

            參考價(jià)格

            1萬(wàn)元以下

            型號(hào)

            101730-101735

            品牌

            MKNANO

            產(chǎn)地

            江蘇南京

            樣本

            暫無(wú)
            南京牧科納米科技有限公司

            會(huì)員

            |

            第10年

            |

            生產(chǎn)商

            工商已核實(shí)

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            核心參數(shù)
            • 純度:

              99.99%
            • 目數(shù):

              500um
            • 品級(jí):

              A級(jí)
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            背景介紹:

            目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。

            石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用,但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。

            牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)攻關(guān),不用昂貴的金屬基體,在常見的銅襯底,以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法,成功制備出了100微米到幾個(gè)毫米級(jí)六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上,方便取用。

            該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量,將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場(chǎng)效應(yīng)晶體管,測(cè)量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100cm2V-1s-1

            常見的銅基體上生長(zhǎng)大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破,為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。

            石墨烯單晶表征數(shù)據(jù):

            500um級(jí)別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片:


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            單晶尺寸:500um
            襯底:銅襯底

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            【行業(yè)資訊】我國(guó)科學(xué)家研發(fā)出1.5英寸石墨烯單晶

            11月25日,記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉,該所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)在國(guó)家重大專項(xiàng)“晶圓級(jí)石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項(xiàng)目的支持下,在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)

            【科技前沿】科學(xué)家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀

            【科技前沿】科學(xué)家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時(shí)間:2015-11-28  點(diǎn)擊:14 屯特大學(xué)MESA+研究中心的研究者和幾個(gè)其他機(jī)構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。

            牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用常見的銅襯底實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)尺寸可控的高質(zhì)量石墨烯單晶

            目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級(jí)到微米級(jí)尺寸的石墨烯晶疇拼

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