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垂直立式真空管式爐PECVD系統(tǒng)品牌
鄭州恒通產地
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化學氣相沉積系統(tǒng)(CVD)為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）， 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學反應沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性?；瘜W氣相沉積系統(tǒng)廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。
4路質子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
**工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質 | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組，高真空復合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質子流量計 | |
高精度質量流量計可準確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表，內置氣體混氣系統(tǒng)， 不銹鋼針閥計管道，標準雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W**可調±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關配件 | 氣煉石英爐管、真空法蘭、高溫手套、坩堝鉤、熱電偶、防燙罩、剛玉坩堝、爐塞 |
電氣認證 | CE認證 |
售后服務 | 12個月質保、終身保修 |
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移動端
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