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            碳化硅SiC
            碳化硅SiC

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            型號

            碳化硅SiC

            品牌

            江蘇新越

            產(chǎn)地

            江蘇

            樣本

            暫無
            江蘇新越半導(dǎo)體科技有限公司

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            碳化硅SiC

            供應(yīng)2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。

            碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。

            碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(qiáng)(約為硅的10倍)、

            高熱導(dǎo)率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,是制作高溫、

            高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導(dǎo)體材料。

            同時(shí),也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。

            目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,

            用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、

            結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。

            這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽能逆變器、風(fēng)

            力發(fā)電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。


            尺寸:2,3,4,6英寸;

            晶向:On axis:±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

            Off axis:4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI

            厚度(um):350±25

            直徑(mm):50.8±0.3

            表面粗糙度:Polish Ra≤1nm,CMP Ra≤0.5nm


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            易用性

            10分

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