參考價(jià)格
面議型號(hào)
進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
暫無(wú)品級(jí):
工業(yè)級(jí)外觀:
液體有效物質(zhì)含量:
-執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):
-密度(g/c㎡):
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產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)
本品以異丙醇為溶劑,含有Ges單層和多層厚片。合成了純度為99.9995%的Ges晶體,并將其分散到異丙醇(純度為99.9999%的電子級(jí)化學(xué)品)中。由于起始材料(合成Ges晶體)是高度結(jié)晶的,超聲波處理以分層Ges層的產(chǎn)率很高。鍺硒晶體單層和多層懸浮于異丙醇溶液中。Ge se納米材料的結(jié)晶性已通過(guò)電子能譜(EDAX)得到證實(shí)。拉曼光譜(半高寬<5cm-')和掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)量。 沉積在不同基底上的Ges薄片的橫向尺寸從~10nm~10um,厚度從1L到10s層。
解決方案類型:默認(rèn)情況下,2DsemiconductorsUSA將提供Ges懸浮異丙醇片,因?yàn)槠浞稚⑿院?、穩(wěn)定性和高性能。然而,如果您的研究需要其他溶劑,請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多詳情并安排產(chǎn)品交付。
溶液濃度:為了降低運(yùn)輸成本,簡(jiǎn)化海關(guān)協(xié)議/邊境檢查流程,我們運(yùn)輸過(guò)飽和的2D溶液(根據(jù)2D層的類型,約為~80-120 mg/L)。然而,可以通過(guò)簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的自旋鑄造工藝稀釋過(guò)飽和溶液,以產(chǎn)生250-500mL 的溶液,在所需的襯底上沉積2D層。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS |
貨號(hào) | RDB-FSY-013 |
應(yīng)用 | 電化學(xué)能儲(chǔ),電化學(xué)催化,器件,生物學(xué)研究等應(yīng)用 |
晶體結(jié)構(gòu) | 六邊形 |
合成方法 | 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要,可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。 |
材料性能 | 各向異性半導(dǎo)體 |
溶質(zhì)特征 | 在異丙醇中過(guò)飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。 瓶測(cè)量2mL,稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
產(chǎn)品規(guī)格:
C0.25mg/ml濃度 2ml IPA
C0.25mg/ml濃度20ml IPA
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS |
貨號(hào) | RDB-FSY-013 |
應(yīng)用 | 電化學(xué)能儲(chǔ),電化學(xué)催化,器件,生物學(xué)研究等應(yīng)用 |
晶體結(jié)構(gòu) | 六邊形 |
合成方法 | 超聲波剝離合成Ges晶體液相選擇:如果需要,可提供電化學(xué)剝離GeS溶液。 |
材料性能 | 各向異性半導(dǎo)體 |
溶質(zhì)特征 | 在異丙醇中過(guò)飽和(~250mg/L)的Ges單層溶液。 瓶測(cè)量2mL,稀釋至常規(guī)濃度(約25mg/L)的約20mL |
進(jìn)口硫化鍺納米片分散液GeS照片:
XRD: SEM:
Raman: 從GeS晶體收集的光致發(fā)光數(shù)據(jù):
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
高熵合金(High entropy alloys,HEAs)是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡(jiǎn)單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同,高熵合金沒(méi)有主體元素,傾向于形成簡(jiǎn)單固溶體結(jié)構(gòu),