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產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱 | 硒化銦晶體InSe |
| 貨號 | RDB-DJ-003 |
| 性質(zhì) | 半導(dǎo)體晶體 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | β-Hexagonal semiconductor |
| 參數(shù) | 晶體尺寸 ~5mm*5mm ~15mm*12mm |
| 應(yīng)用 | 半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格：
5*5 mm
8*8 mm
10*10 mm
15*12 mm
InSe晶體的照片:
XRD:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結(jié)構(gòu)，
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