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二硫化鉬晶體-MoS2品牌
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產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱 | 二硫化鉬晶體-MoS2 |
| 貨號 | RDB-DJ-005 |
| 性質(zhì) | 半導(dǎo)體 |
| 帶隙 | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV |
| 參數(shù) | 尺寸：~10 mm-30 mm |
| 應(yīng)用 | 半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
大尺寸晶體照片:
XDR: Raman:
暫無數(shù)據(jù)！
高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結(jié)構(gòu)，
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