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在MOCVD反應(yīng)器的廣泛鍍膜過(guò)程中，行星基座或載體會(huì)移動(dòng)襯底晶片?；牧系男阅軐?duì)涂層質(zhì)量有很大影響，進(jìn)而影響芯片廢品率。
我們的碳化硅涂層基座提升了高品質(zhì)LED晶圓的制造效率，將波長(zhǎng)偏差降至*低。
我們還為目前使用的所有MOCVD反應(yīng)器提供其他石墨部件。我們可以為幾乎所有部件涂上碳化硅涂層，即使部件直徑超過(guò)1米（3‘），我們依然能夠進(jìn)行碳化硅涂層。
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