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碳化硅晶體生長(zhǎng)爐品牌
哈爾濱科友產(chǎn)地
黑龍江樣本
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|第1年
|生產(chǎn)商
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一、設(shè)備結(jié)構(gòu)
二、設(shè)備概述
碳化硅晶體生長(zhǎng)爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)大尺寸、高質(zhì)量SiC 單晶。
三、技術(shù)優(yōu)勢(shì)
1、采用雙線圈設(shè)計(jì)，基于多物理場(chǎng)仿真模擬，分別優(yōu)化兩個(gè)線圈的間距、匝數(shù)、線圈位置等參數(shù)實(shí)現(xiàn)籽晶與料源溫場(chǎng)的獨(dú)立控制，獲得大尺寸高質(zhì)量碳化硅生長(zhǎng)的溫場(chǎng)。
2、開(kāi)展坩堝獨(dú)立旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)研究，創(chuàng)新型的在坩堝旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)中引入獨(dú)立支撐設(shè)計(jì)，使坩堝在生長(zhǎng)過(guò)程中獨(dú)立于保溫旋轉(zhuǎn)，降低保溫對(duì)坩堝溫場(chǎng)的影響。解決碳化硅單晶生長(zhǎng)中因爐次之間保溫?fù)p耗及變形導(dǎo)致溫場(chǎng)不可控的難題，提升晶體生長(zhǎng)成品率。
3、結(jié)合數(shù)值模擬和理論計(jì)算，優(yōu)化坩堝和溫度梯度結(jié)構(gòu)，揭示晶體結(jié)晶和動(dòng)力學(xué)過(guò)程，突破6英寸SiC 晶體的制備工藝，有力解決SiC 晶體缺陷富集的難點(diǎn)問(wèn)題。
四、設(shè)備參數(shù)
| 石英反射器 | 直徑440mmx900mm | 電源頻率，HZ | 50±1 |
**操作溫度2600° C （氬氣中） | 相數(shù) | 3 | |
| 工作氣體 | 氬氣，氮?dú)?/span> | 壓縮氣體，Mpa | 0.6 |
| **真空值 Torr | 10-5 Torr | **功率，kw | 50 |
| 發(fā)電機(jī)功率 kw | 70kw | 晶體生長(zhǎng)天數(shù)，天 | 7 |
| 發(fā)電機(jī)功率頻率 kHz | 12kHz | 氮?dú)庀牧?，m3/爐 | ≤0.25 |
| 自動(dòng)化參數(shù)控制系統(tǒng) | 電極接法 | △ | |
| 冷卻系統(tǒng) | 50kW冷卻裝置（閉合電路） | 設(shè)備外形尺寸（長(zhǎng)x寬x高）mm | 920x920x2790 |
| 電源電壓，V | 380±19 | **電流，A | 90 |
| 輸出電壓，V | 500-550 |
注：可根據(jù)客戶要求，進(jìn)行定制服務(wù)
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