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            WEP+CVP21+電化學(xué)ECV ,摻雜濃度PN結(jié)深測試
            WEP+CVP21+電化學(xué)ECV ,摻雜濃度PN結(jié)深測試

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            儀器簡介:電化學(xué)ECV,摻雜濃度檢測(C-V Profiling)PN結(jié)深測試

            電化學(xué)ECV可以用于太陽能電池、LED等產(chǎn)業(yè),是化合物半導(dǎo)體材料研究或開發(fā)的主要工具之一。

            電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。

            電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

            本設(shè)備適用于評估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.

            CVP 21 的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率,準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制

            CVP21的系統(tǒng)特點

            • 堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對獨立.

            • 精確的測量電路模塊

            • 強力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡便

            • 完善的售后服務(wù)

            提供免費樣品測試并提供測試報告。

            保修期:2年,終身維修。

            對用戶承諾終身免費樣品測試每月1次。

            技術(shù)參數(shù):

            產(chǎn)品**結(jié)合我們在電化學(xué)方分布測試方面超過30年的經(jīng)驗和世界上***的電路系統(tǒng)?!?

            全自動, 特別適用于新材料, 如氮化鎵, 碳化硅材料等?!?

            有效檢測:

            •外延材料

            •擴散

            •離子注入

            適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

            IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

            III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

            三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

            四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

            氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

            II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

            其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進行樣品測量)。

             

            載流子濃度測量范圍:

            •** 1021/cm³

            •*小 1011/cm³

            深度解析度:

            •**無上限

            •*小可至1 nm (或更低)

            模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):

            •拓撲型結(jié)構(gòu)

            •實時監(jiān)控腐蝕過程

            •適于微小樣品及大尺寸的晶圓

            全自動化系統(tǒng):

            主要特點:

            CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案:

            1, CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

            * IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

            * III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

            * 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

            * 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

            * 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

            * II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

            * 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進行樣品測量)。

            2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預(yù)先咨詢我們)。

            3, CVP21擁有很好的分辨率范圍。

            * 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

            * 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)

            4, CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測量系統(tǒng)。

            * 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機械、光學(xué)、液體傳動幾個主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計)

            * 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無須用戶再次校準(zhǔn))

            * 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實驗室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

            * 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制;每次測量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)

            * 實驗菜單(測量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進測量菜單)

            * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進行樣品dry-in/dry-out處理。)

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            10分

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