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LINOS 普克爾盒
LINOS提供基于KD*P晶體、BBO晶體、RTPC晶體和LN晶體的各類普克爾盒產(chǎn)品，適用用波長范圍廣，損傷域之高，消光比優(yōu)良。標準產(chǎn)品如下表所示：
Fig.1 Linos 普克爾盒
KD*P普克爾盒特性：（1）高氘化率：> 98% （2）波前畸變：<λ/4 （3）損傷閾值 : > 500 MW/cm2 @ 1064 nm， 10 ns， 1 Hz (下同)(典型值，非保證值)（4）普通型，水浸型 (IM) 或者溶膠型 (SG) 版本可選 可選項：λ/4 波片
典型參數(shù)表：
晶體類型 | 通光孔徑( mm ) | 透過率 (%) | 消光比( 無外加電壓 ) | λ/4 電壓(kV)@1064nm | 電容值( pf ) |
KD*P | ? 3.5-? 15 | 不同通光孔徑84-99 | 500:1-3000:1 | 3.2 | 4-8 |
BBO普克爾盒特性：（1）帶壓電衰減器 （2）適合作為高重復率Q開關 （3）波前畸變：<λ/4 （4）損傷閾值> 300 MW/cm2
BBO | ?2.6、?3.6、?4.6、?5.6 | 98 | > 1000:1 | 1.8、2.4、3.0、3.6 3.6、4.8、6.0 | 4/8 |
RTP普克爾盒特性：（1）波前畸變：<λ/4 （2） 適合作高重復率Q開關（3）損傷閾值：> 600 MW/cm2
RTPC | ?2.6、?3.6 | 98 | >200:1 | 0.5、1.3、0.65 | 3 |
LiNbO3普克爾盒特性：（1）晶體波前畸變：<λ/4 （2）損傷閾值：> 100 MW/cm2
LiNbO3 | 7.45 x 7.45、9 x 9、5 x 5 | 98、99 | >100:1 | 3、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm | - |
安裝座 | ?緊湊和穩(wěn)定型設計?可輕松調整俯仰、偏航和旋轉?擁有精細螺紋調節(jié)?可兼容上至 35 mm的普克爾盒 ?用于 OEM 的特殊結構也可提供 |
暫無數(shù)據(jù)！
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