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ES03是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀，儀器波長范圍從紫外到近紅外。

ES03多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。

ES03系列適合于對樣品進行實時和非實時的檢測。

特點：

• 原子層量級的檢測靈敏度

  國際先進的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。

• 秒級的快速測量

  快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件，在保證高精度和準確度的同時，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。

• 膜厚測量范圍大

  膜厚范圍從次納米量級到10微米左右。

• 一鍵式儀器操作

  對于常規(guī)操作，只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。

應用：

ES03適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。

ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如：

• ES03V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
• ES03U適合于很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體的臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。

ES03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領(lǐng)域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

典型應用如：

• 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等

ES03也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標：

項目	技術(shù)指標
光譜范圍	ES03V：370-1000nm ES03U：245-1000nm
光譜分辨率	1.5nm
單次測量時間	典型10s，取決于測量模式
準確度	δ(Psi): 0.02 ° ，δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時）
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性（1）	1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
入射角度	40°-90°手動調(diào)節(jié)，步距5°，重復性0.02°
光學結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度）
樣品臺尺寸	可放置樣品尺寸：直徑170 mm
樣品方位調(diào)整	高度調(diào)節(jié)范圍：0-10mm
	二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
樣品對準	光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
軟件	•多語言界面切換
	•預設項目供快捷操作使用
	•安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）
	•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
	•豐富的模型數(shù)據(jù)庫
選配件	自動掃描樣品臺 聚焦透鏡